华中电信系 32PN结的形成及特性 3.2.1载流子的漂移与扩散 322PN结的形成 323PN结的单向导电性 324PN结的反向击穿 325PN结的电容效应 HOME BACKNEXT
3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散
321载流子的漂移与扩散 华中电信系 漂移运动: 在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。 扩散运动: 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散 运动 HOME BACKNEXT
3.2.1 载流子的漂移与扩散 漂移运动： 在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。 扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散 运动
322PN结的形成 华中电信系 P型 N型 sse⊕⊕⊕⊕ 守⊕⊕⊕⊕⊕ eee⊕⊕⊕ e9899a HOME BACKNEXT
3.2.2 PN结的形成
322PN结的形成 华中电信系 上P型区士空间电荷区一N型区 ee⊕⊕ 6eiG⊕ eIG⊕ 66l⊕ 内电场E 电位 势垒电位 HOME BACKNEXT
3.2.2 PN结的形成
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,信 分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半 导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 多子的扩散运动→>由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 HOME BACKNEXT
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质, 分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半 导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区