TiO,型:(金红石)--Ti4+02假六方密堆积Ti4+占八面体空隙配位数6：3aO1b1JuuuC=0c =1/222
TiO2（⾦红⽯）型： O2- 假六⽅密堆积 Ti4+ 占⼋⾯体空隙 配位数 6：3 -Ti4+ -O2- u u u u u u u u a b c = 0 c =1/2 22
CaF2型离子晶体：所属晶系：立方；点阵：立方F结构基元及每个晶胞中结构基元的数目：CaF2,4个；Ca和F离子的配位数分别是8和4；离子的分数坐标：2,0),( 0,2),(0 22A为(0,0,0),PlanviewFluorite A-cell4AA)(GA3B为.)(.4.423
CaF2型离⼦晶体: 所属晶系: ⽴⽅; 点阵: ⽴⽅ F; 结构基元及每个晶胞中结构基元的数⽬: CaF2, 4个; Ca和F离⼦的配位数分别是8和4； 离⼦的分数坐标: ) 4 3 , 4 3 , 4 3 ),( 4 3 , 4 3 , 4 1 ),( 4 3 , 4 1 , 4 3 ),( 4 1 , 4 3 , 4 3 ( ) 4 3 , 4 1 , 4 1 ),( 4 1 , 4 3 , 4 1 ),( 4 1 , 4 1 , 4 3 ),( 4 1 , 4 1 , 4 1 B ( ) 2 1 , 2 1 ),(0, 2 1 ,0, 2 1 ,0),( 2 1 , 2 1 A (0,0,0),( 为 为 23
4.1.2离子键与晶格能（点阵能）离子化合物中的正负离子可视为弥漫着电子云的球形电荷正负离子间的静电作用力F与离子电荷的乘积成正比，与离子的核间距平方成反比。公式表明，离子电荷越多，核间距越小，离子键的强度就越大，反之亦然。离子键的本质就是正负电荷间的静电作用力24
4.1.2 离⼦键与晶格能（点阵能） 离⼦化合物中的正负离⼦可视为弥漫着电⼦云的球形电荷， 正负离⼦间的静电作⽤⼒F与离⼦电荷的乘积成正⽐，与离⼦ 的核间距平⽅成反⽐。 公式表明，离⼦电荷越多，核间距越⼩，离⼦键的强度就 越⼤，反之亦然。离⼦键的本质就是正负电荷间的静电作⽤⼒。 24
Born和Haber提出应用热化学的实验数据进行离子晶体晶格能的计算。一般说，正负离子的电荷越多，离子半径越小，离子间的吸引作用越强，晶格能的值越大，相应的物理性质也更突出。所以比较离子键的强弱应从离子电荷和离子半径两个方面考虑。25
Born和Haber提出应⽤热化学的实验数据进⾏离⼦晶体晶 格能的计算。 ⼀般说，正负离⼦的电荷越多，离⼦半径越⼩，离⼦间 的吸引作⽤越强，晶格能的值越⼤，相应的物理性质也更突 出。 所以⽐较离⼦键的强弱应从离⼦电荷和离⼦半径两个⽅ ⾯考虑。 25
4.1.2离子键与晶格能（点阵能）1.离子键本质：离子键是离子间静电引力与电子排斥力平衡的结果bze十EAh4元60rE=EA+ERb2Rorm4元60r26
1. 离⼦键本质：离⼦键是离⼦间静电引⼒与电⼦排斥⼒平衡的结果 2 0 e 4 z z e r + - - p mr b + R0 r E E = EA + ER 2 0 e 4 z z e r + - - p mr b = + 4.1.2 离⼦键与晶格能（点阵能） 26