3.2.2PN结的形成 P型 N型 HOME BACK NEXT
3.2.2 PN结的形成
3.2.2PN结的形成 一P型区 空间电荷区 一N型区 白o ⊕ ① e i⊕ ⊕ OOI⊕ ⊕ a日 I⊕ ⊕ 内电场E 1 电位 势垒电位 X 0 HOME NEXT
3.2.2 PN结的形成
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质， 分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半 导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程： 因浓度差 多子的扩散运动→由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 ↓ ↓ 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 HOME NEXT
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质, 分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半 导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区