3.1.4杂质半导体 2.P型半导体 。t4。+4。 。+4 因三价杂质原子 受主原子 邻近的电子落入受主的空 在与硅原子形成共价 位，留下可移动的空穴 键时，缺少一个价电 可移动的空穴 受主获得一个电子而 子而在共价键中留下 形成一个负离子 +4● +4 一个空穴。 在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成； 自由电子是少数栽流子，由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。 HOME BACK NEXT
2. P型半导体 3.1.4 杂质半导体 因三价杂质原子 在与硅原子形成共价 键时，缺少一个价电 子而在共价键中留下 一个空穴。 在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成； 自由电子是少数载流子， 由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质
3.1.4杂质半导体 3.杂质对半导体导电性的影响 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影 响，一些典型的数据如下： ① T=300K室温下，本征硅的电子和空穴浓度： n=p=1.4×1010/cm3 掺杂后N型半导体中的自由电子浓度： n=5×1016/cm3 3 本征硅的原子浓度：4.96×1022/cm3 以上三个浓度基本上依次相差101cm3。 HOME BACK NEXT
3. 杂质对半导体导电性的影响 3.1.4 杂质半导体 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影 响，一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 1 本征硅的原子浓度: 4.96×1022 3 /cm3 以上三个浓度基本上依次相差106 /cm3 。 2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3
本节中的有关概念 ·本征半导体、杂质半导体 ·施主杂质、受主杂质 ·N型半导体、P型半导体 ·自由电子、空穴 ·多数载流子、少数载流子 HOME BACK NEXT
• 本征半导体、杂质半导体 本节中的有关概念 • 自由电子、空穴 • N型半导体、P型半导体 • 多数载流子、少数载流子 • 施主杂质、受主杂质
3.2PN结的形成及特性 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.2.2PN结的形成 3.2.3PN结的单向导电性 3.2.4PN结的反向击穿 3.2.5PN结的电容效应 HOME BACK NE
3.2 PN结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散
3.2.1载流子的漂移与扩散 漂移运动： 在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。 扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散 运动。 HOME BACK NEXT
3.2.1 载流子的漂移与扩散 漂移运动： 在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。 扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散 运动