4.1.1BJT的结构简介 (a) (b) (c) (d) (a小功率管 (b)小功率管 (c)大功率管 (d中功率管 HOME BACK NEX交
4.1.1 BJT的结构简介 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
4.1.1BJT的结构简介 c集电极 c集电极 半导体三极管的结 构示意图如图所示。 N P 集电区 集电结 集电区 它有两种类型：NPN型 集电结 bo 基壑 bo 基极 基区 和PNP型。 基极 N 发射结 发射结 发射区 发射区 (a)NPN型管结构示意图 e 发射极 e发射极 (b)PNP型管结构示意图 (a) (b) (c)NPN管的电路符号 (d)PNP管的电路符号 (c) (d) HOME BACK NEXT
半导体三极管的结 构示意图如图所示。 它有两种类型:NPN型 和PNP型。 4.1.1 BJT的结构简介 (a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管的电路符号 (d) PNP管的电路符号
4.1.1BJT的结构简介 集成电路中典型NPN型BJT的截面图 b e SiO2 铝 隔离 外延层 P N N N 埋层 基极 P 硅衬底 HOME BACK NEXT
集成电路中典型NPN型BJT的截面图 4.1.1 BJT的结构简介
4.1.2放大状态下BJT的工作原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载 流子传输体现出来的。 由于三极管内有两种载流子（自 外部条件：发射结正偏 由电子和空穴)参与导电，故称为双 集电结反偏 极型三极管或BJT(Bipolar Junction Transistor)。 1.内部载流子的传输过程 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 BN (以NPN为例) Re IE=IB+Ic b VEE Ic=Inc+ICBo 放大状态下BJT中载流子的传输过程 HOME BACK NEXT
三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载 流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏 集电结反偏 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 1. 内部载流子的传输过程 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 由于三极管内有两种载流子(自 由电子和空穴)参与导电，故称为双 极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 IC= InC+ ICBO IE=IB+ IC 放大状态下BJT中载流子的传输过程
2.电流分配关系 根据传输过程可知 IE=IB+Ic Ic=Inc+ICBo 设u= 传输到集电极的电流 发射极注入电流 即 a= Ie 通常Ic>IcBo B B 则有 R It b VEE Vcc /B a为电流放大系数。它只 与管子的结构尺寸和掺杂浓度 放大状态下BJT中载流子的传输过程 有关，与外加电压无关。一般 a=0.90.99。 HOME BACK NEXT
2. 电流分配关系 发射极注入电流 传输到集电极的电流 设 E nC I I 即 根据传输过程可知 IC= InC+ ICBO 通常 IC >> ICBO E C I I 则有 为电流放大系数。它只 与管子的结构尺寸和掺杂浓度 有关，与外加电压无关。一般 = 0.90.99 。 IE =IB+ IC 放大状态下BJT中载流子的传输过程