复旦大学电子工程系陈光梦 雪崩击穿 反向电压增加→势垒区内的电场强度增加+势 垒区内的载流子动能增加→碰撞加剧→原子电 离→新产生载流子（电子和空穴）→进一步增 加碰撞 雪崩击穿电压 较高（大致高 于5~6伏) 雪崩击穿具有 正温度系数 2013/9/22 模拟电子学基础 16
2013/9/22 模拟电子学基础 16 复旦大学电子工程系 陈光梦 雪崩击穿 反向电压增加 → 势垒区内的电场强度增加 → 势 垒区内的载流子动能增加 → 碰撞加剧 → 原子电 离 → 新产生载流子（电子和空穴） → 进一步增 加碰撞 雪崩击穿电压 较高（大致高 于5~ 6伏） 雪崩击穿具有 正温度系数
复旦大学电子工程系陈光梦 齐纳击穿 高掺杂→势垒区薄→足够高的场强→价 电子获得足够的能量→脱离共价键的束缚 成为自由电子 口高掺杂的PN结的击穿电压比较低，大致低 于5~6V ·具有负温度系数 2013/9/22 模拟电子学基础 17
2013/9/22 模拟电子学基础 17 复旦大学电子工程系 陈光梦 齐纳击穿 高掺杂 → 势垒区薄 → 足够高的场强 → 价 电子获得足够的能量 → 脱离共价键的束缚 成为自由电子 高掺杂的PN结的击穿电压比较低，大致低 于5~6V 具有负温度系数
复旦大学电子工程系陈光梦 PN结的扩散电容 正向偏置情况下，空间电荷区两侧由对方区域注 入的非平衡少数载流子的堆积 电子浓度什空穴浓度 注入的空穴 注入的电子 kTlq 平衡空穴 平衡电子 P区 势垒区 N区 ·只存在于正向偏置情况 ■扩散电容的大小与流过PN结的正向电流成正比 2013/9/22 模拟电子学基础 18
2013/9/22 模拟电子学基础 18 复旦大学电子工程系 陈光梦 PN结的扩散电容 正向偏置情况下，空间电荷区两侧由对方区域注 入的非平衡少数载流子的堆积 只存在于正向偏置情况 扩散电容的大小与流过PN结的正向电流成正比 势垒区 注入的电子 注入的空穴 电子浓度 空穴浓度 P区 N区 平衡电子 平衡空穴 I kT q CD /
复旦大学电子工程系陈光梦 PN结的势垒电容 势垒两侧空间电荷数目以及空间电荷区宽度的改 变，类似平板电容 VD<<VB: CB0是偏置电压为 BO B 零时的势垒电容 B p)m (0.1)" Va 偏置电压越负，势垒电容量越小。非线性电容 m为结电容梯度因子。线性缓变结，m=13;突 变结，m=1/2;超突变结，m=1/2~6 2013/9/22 模拟电子学基础 19
2013/9/22 模拟电子学基础 19 复旦大学电子工程系 陈光梦 PN结的势垒电容 势垒两侧空间电荷数目以及空间电荷区宽度的改 变，类似平板电容 偏置电压越负，势垒电容量越小 。非线性电容 m为结电容梯度因子。线性缓变结，m = 1/3；突 变结，m = 1/2；超突变结，m = 1/2~6 0 (1 ) B B D m B C C V V 0 (0.1) B B m C C VD<<VB： VD≈VB： CB0是偏置电压为 零时的势垒电容
复旦大学电子工程系陈光梦 半导体二极管 结构与伏安特性 等效模型 主要特性参数 其他类型的二极管 2013/9/22 模拟电子学基础 20
2013/9/22 模拟电子学基础 20 复旦大学电子工程系 陈光梦 半导体二极管 结构与伏安特性 等效模型 主要特性参数 其他类型的二极管