E 导电机制 +4 +4)自由电子 4)●●(+4) 动画演示 +●●+ +4)°●( 4)·●(+4 自由电子带负电荷电子流 载流子 空穴带正电荷空穴流+总电流 本征半导体的导电性取决于外加能量: 温度变化,导电性变化;光照变化,导电性变化
自由电子 带负电荷 电子流 动画演示 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 E － ＋ 载流子 ＋总电流 空穴 带正电荷 空穴流 本征半导体的导电性取决于外加能量： 温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。 导电机制
二.杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的 半导体称为杂质半导体。 1.N型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素,例 如磷,砷等,称为N型半导体
二. 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的 半导体称为杂质半导体。 1. N型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例 如磷，砷等，称为N型半导体
N型半导体 硅原子 +4)●●(+4)●●(+4 电子空穴对自由电子 多余电子 N型半导体 (+4)·(+5)·(+4 磷原子 +·( ●(+4)·(+4)··(+4 多数载流子自由电子施主离子 少数载流子 空穴
N型半导体 多余电子 磷原子 硅原子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 多数载流子——自由电子 少数载流子—— 空穴 + + + + + + + + + + + + N型半导体 施主离子 电子空穴对 自由电子
2.P型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素,如硼、镓等。 电子空穴对 硅原子 空穴 +4)°(+4)°●(+4)° P型半导体 空穴 ○○○ 4)(+3)(+)○○○ 硼原子 ○Q° ●(+4)°(+4)(+4 受主离子 多数载流子空穴 少数载流子—自由电子
在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。 空穴 硼原子 硅原子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 +4 +4 多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子 － － － － － － － － － － － － P型半导体 受主离子 空穴 电子空穴对 2. P型半导体
杂质半导体的示意图 多子空穴 多子电子 P型半导体 N型半导体 ⑦·(④ 少子电子 少子空穴 少子浓度—与温度有关 多子浓度—与温度无关
杂质半导体的示意图 + + + + + + + + + + + + N型半导体 多子—电子 少子—空穴 － － － － － － － － － － － － P型半导体 多子—空穴 少子—电子 少子浓度——与温度有关 多子浓度——与温度无关