输出特性曲线上的四个区域 ①可变电阻区-预夹断前 ②恒流区-预夹断后， ip (mA) 可变电阻区 恒流区 也称饱和区. WGs=0V 击穿区 恒流区的特点： uas=-1V △iD/△ucs=8m 截止区 常数 MGs=-2V 即：△D=gm△uGs UGS=-3V ③夹断区-截止区. 预夹断轨迹 ④击穿区。 预夹断点处：VGD=VGs-VDs=Vp
输出特性曲线上的四个区域 恒流区的特点： △ iD / △ uGS = gm ≈常数 即: △ iD = gm △ uGS ①可变电阻区-预夹断前 ②恒流区－预夹断后, 也称饱和区 . ③夹断区-截止区 . ④击穿区。 u =-3V DS GS u GS u =-1V u uGS (mA) =-2V Di GS =0V 可变电阻区 恒流区 截止区 击穿区 预夹断轨迹 预夹断点处： VGD =VGS -VDS =V P
动画演示输出特性曲线 D/mA FET输出特性 812162024 VDs/V
动画演示输出特性曲线
2.转移特性(Transfer Characteristics):n=f(Vcs)rns-eost 在饱和区内：6=1s(1-e)2 (V,≤'cs≤0) Vp 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例：作uDs=10V的一条转移特性曲线 Ip/m Ip/mA 可变电阻区 击穿区 V6s=0 6 恒流区 -4 -1V -2W -3W -4 1 16 2024 DS +6s/V P沟道JFET转移特性曲线？？？？
2.转移特性(Transfer Characteristics )：D GS DS const. )( v vfi ()1( )0 GSP 2 P GS D DSS vV Vv 在饱和区内： Ii 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例：作uDS =10V的一条转移特性曲线 VP P沟道JFET转移特性曲线？？？？
动画演示转移特性曲线 ip/mA 63432 VGs =0V -1V -2V -3V -4V 4812162024 s/V
动画演示转移特性曲线
3.主要参数 (I)夹断电压，：VDs=某一固定值，漏极电流约为零时 的Vcs值。在转移特性曲线上可确定Vp。 (2)饱和漏极电流lDss:VDs=某一固定值，Vcs=0时对应 的漏极电流。在转移特性曲线上可确定Iss。 (3)低频跨导gm:反映了vGs对in的控制作用。gm可以在 转移特性曲线上求得，单位是S(毫西门子)。 gm= aiD 2Ipss(1-VGS) VDs或 8m = (Vp≤vGs≤0) VP ④输出电阻ra反映了ps对in的影响。a=D OVDS VGs r=几十~几百K2
(1)夹断电压VP : VDS =某一固定值, 漏极电流约为零时 的VGS值。在转移特性曲线上可确定VP。 (2)饱和漏极电流IDSS : VDS =某一固定值, VGS =0时对应 的漏极电流。在转移特性曲线上可确定IDSS 。 (3)低频跨导gm :反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在 转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 VDS GS D m v i g （ 0vV ） V ) Vv 1(I2 g GSP P P GS DSS m 或 3. 主要参数 (4)输出电阻rd :反映了vDS对iD的影响。 VGS DDS d iv r rd =几十～几百K