Dispersion Hardening Incandense Lamp High temperature,low stress creep Interaction of dislocation networks with potassium bubbles (M=56,000:1)
Dispersion Hardening & Incandense Lamp Interaction of dislocation networks with potassium bubbles (M = 56,000:1) High temperature, low stress creep
弥散相强化 纳米氧化铝弥散强化铜一“电阻焊材料专家” 软仁温度高达930°℃·导电率高达85%IACS, 硬度超过HRB84·强度高·疲劳性能和耐磨性能好。 (a) b 250nm 250nm
纳米氧化铝弥散强化铜 —— “电阻焊材料专家” 软化温度高达930℃，导电率高达85%IACS， 硬度超过HRB 84，强度高，疲劳性能和耐磨性能好。 弥散相强化
缺陷和强化机制 固溶强化 -单相 -点缺陷 有限的强化效果 超过固溶极限 Precipitation Hardening Dispersion Strengthening -Two Phase,Non-Co /Co -Two Non-Co -Point and Surface Defects -Point and Surface Defect -High Strengthening Effect -Medium Strengthening Effect
缺陷和强化机制 9
析出相强化 Exceeds solubility limit=>two solid phases Matrix ●continuous Hard Crack e soft and ductile VS. Precipitate Hard Soft Soft ●discontinuous (a) strong ●round ●numerous VS. Good Poor
析出相强化 10
位错颗粒切割机制 1.颗粒的共格应力场与位错的应力场之间产生 弹性交互作用，位错通过共格应变区时，会 产生一定的强化效应： 2.当颗粒的弹性切变模量高于基体时，位错进 Ar.=pin.r 入颗粒便增大位错自身的弹性畸变能，引起 位错的能量和线张力变大，位错运动遇到更 b6Ey 大的阻力： 3.第二相颗粒具有不同于基体的晶格常数，当 位错切过共格颗粒时，在滑移面上造成错配 的原子排列，因而增大位错运动的作功： Precipitate particle 4.位错切过颗粒后形成滑移台阶，增加界面能， 加大位错运动的能量消耗
V c b E f r 6 ~3/ 2 b Precipitate particle b 位错-颗粒切割机制