影响化学位移的因素 factors influenced chemical shift 1.电负性一去屏蔽效应 一CH3 CHaCH2I 与质子相连元素的电负性 越强，吸电子作用越强，价 电子偏离质子，屏蔽作用减 弱，信号峰在低场出现。 8.0 7.06.0 5.04.0 3.02.0 1.0 8/PPm CH3,6=1.6~2.0,高场； a b CH3-0H -CHI,6=3.0~3.5, -O-H, -C-H, 6大 6小 8.0 7.06.0 5.04.03.02.0 1.0 低场 高场 23:1228
23:12:28 二、影响化学位移的因素 factors influenced chemical shift 1．电负性-去屏蔽效应 与质子相连元素的电负性 越强，吸电子作用越强，价 电子偏离质子，屏蔽作用减 弱，信号峰在低场出现。 -CH3 ， =1.6~2.0，高场； -CH2 I， =3.0 ~ 3.5, -O-H， -C-H， 大 小 低场 高场
电负性对化学位移的影响 3.5 3 2 O-CH3 N-CH3 C-CH3 3.42-4.02 2.12-3.10 0.77-1.88 F-CH3 CI-CH3 Br- CH3 CH3 4.26 3.05 2.68 2.60 碳杂化轨道电负性： SP>SP2>SP3 H3C-Br H3CH2C-Br CH3(CH2)2-Br CH3(CH2)3-Br 2.68 1.65 1.04 0.90 CI ci H3C-CI H2C-CI HC-CI ci 3.05 5.33 7.24 231228
23:12:28 电负性对化学位移的影响 H3C Cl H2C Cl HC Cl Cl Cl Cl 3.05 5.33 7.24 F CH3 C CH3 CH3 CH3 l Br I 4.26 3.05 2.68 2.60 碳杂化轨道电负性：SP>SP2>SP3 H3C Br 2.68 H3CH2C B CH3(CH2)2 CH3(CH2)3 r Br Br 1.65 1.04 0.90 O CH3 N CH3 C CH3 3.5 3.0 2.5 3.42-4.02 2.12-3.10 0.77-1.88