Generated by Foxit PDF Creator Foxit Soft p://www.foxitsoftware.comfoRevaluation 寄生晶体管Q1、Q2,寄生电阻Rnw、Rb 构成等效电路 Q1和Q2交叉耦合形成正反馈回路 电流在Q1和Q2之间循环放大 DD和GND之间形成极大的电流,电源和地之间锁定在 个很低的电压(维持电压v GND Q1 Ruh O2 R 阱 p衬底 GND
寄生晶体管Q1、Q2，寄生电阻Rnw、Rsub 构成等效电路 Q1和Q2交叉耦合形成正反馈回路 电流在Q1和Q2之间循环放大 VDD和GND之间形成极大的电流，电源和地之间锁定在一 个很低的电压(维持电压Vh) Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only
Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly 防止闩锁效应 的措施 1.减小阱区和衬底的寄生电阻 2.降低寄生双极晶体管的增益 3.使衬底加反向偏压 4.加保护环 5.用外延衬底 6.采用 SOICMOS技术
7 防止闩锁效应 的措施 1. 减小阱区和衬底的寄生电阻 2. 降低寄生双极晶体管的增益 3. 使衬底加反向偏压 4. 加保护环 5. 用外延衬底 6. 采用SOICMOS技术 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only
Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly 1、减小寄生电阻 2、降低寄生晶体管增益 抑制闩锁效应p3、衬底加反向偏压 V闩锁效应示图V Q Q p型衬底 R
8 抑制闩锁效应： 1、减小寄生电阻 2、降低寄生晶体管增益 3、衬底加反向偏压 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only
Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly 锁效应示盘阳 多晶硅目图[有源区[n阱 4、保护环 n阱 计n+ 阱 保护环 p型衬底
9 4、保护环 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only
Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly s 5、外延衬底 阱 保护环 p型衬底 n阱 p外延层 p型衬底
10 5、外延衬底 Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only