P型半导体 在本征硅(或锗)中掺入少量的三价 元素,如硼、铝、铟等,就得到P型半导 体。这时杂质原子替代了晶格中的某些 硅原子,它的三个价电子和相邻的四个 硅原子组成共价键时,只有三个共价键 是完整的,第四个共价键因缺少一个价 电子而出现一个空位,如图1-5所示
P型半导体 在本征硅(或锗)中掺入少量的三价 元素，如硼、铝、铟等，就得到P型半导 体。这时杂质原子替代了晶格中的某些 硅原子，它的三个价电子和相邻的四个 硅原子组成共价键时，只有三个共价键 是完整的，第四个共价键因缺少一个价 电子而出现一个空位，如图1--5所示
+ 空位 + 受主 原子 图1-5P型半导体原子结构示意图
＋ 4 ＋ 4 ＋ 4 ＋ 4 ＋ 3 ＋ 4 ＋ 4 ＋ 4 ＋ 4 空 位 受 主 原 子 图1―5 P型半导体原子结构示意图
杂质半导体的载流子浓度 杂质半导体中的少子浓度,因掺杂不 同,会随多子浓度的变化而变化。在热平衡 下,两者之间有如下关系:多子浓度值与少 子浓度值的乘积恒等于本征载流子浓度值n 的平方。即对N型半导体,多子mn与少子pn 有
杂质半导体的载流子浓度 杂质半导体中的少子浓度，因掺杂不 同，会随多子浓度的变化而变化。在热平衡 下，两者之间有如下关系：多子浓度值与少 子浓度值的乘积恒等于本征载流子浓度值ni 的平方。即对N型半导体，多子nn与少子pn 有
pn p (1-2b) 对P型半导体,多子P与少子n有 (1-3a) ≈ (1-3b) A
A i p i p p p i D i n i n n n i N n p n n p n n N n n n p n p n 2 2 2 2 2 2 = = = = = 对P型半导体，多子pp与少子np有 (1―2a) (1―2b) (1―3a) (1―3b)
半导体中的电流 在半导体中有两种电流 漂移电流 在电场作用下,半导体中的载流 子作定向漂移运动形成的电流,称为漂 移电流。它类似于金属导体中的传导电 流
半导体中的电流 在半导体中有两种电流。 一、漂移电流 在电场作用下，半导体中的载流 子作定向漂移运动形成的电流，称为漂 移电流。它类似于金属导体中的传导电 流