第九章晶体化学基础 第二规则：静电价规则 SiO2 e.v.=Z+/C.N. Silicate anion =4/4=1 Si4+ Z-=ne.v. 02 n Z-/e.v. CN.=4 =2/1=2 vaance=4 e.=1 11 Crystallography 本露2火军 HANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLO
Crystallography 第九章晶体化学基础 第二规则：静电价规则 e.v. = |Z+ /C.N.| = 4/4 = 1 Z- =ne.v. n = Z- /e.v. =2/1=2 SiO2 11
第九章晶体化学基础 第二规厕。静电价规厕 Halite (Na in octahedral coordination) ▣NaCl O Na+ e.v.=1/6 Z-=ne.v. CN=6 n=Z/e.v. e.=16 =6 12 Crystallography 2东我头名
Crystallography 第九章晶体化学基础 第二规则：静电价规则 Z- =ne.v. n= Z- /e.v. = 6 e.v.=1/6 NaCl 12
第九章晶体化学基础 第二规则：静电价规则 TiOz e.V.=4/6=2/3 Z-=ne.v. n=Z-/e.v. =2/(2/3)=3 O TI 13 Crystallography 本理2火军 HANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLO
Crystallography 第九章晶体化学基础 TiO2 第二规则：静电价规则 e.v.=4/6=2/3 Z- =ne.v. n= Z- /e.v. =2/(2/3)=3 13
第九章晶体化学基础 口钙钛矿CaTio3 Ti4+与八面体角顶的6个O配位CaTio3的立方原始晶胞 O2位于立方晶胞晶棱的中点，C+位于立方晶胞的中心，配 位数为12；T4位于晶胞的角顶，配位数为6； 14 Crystallography 免东罗2士火
Crystallography 第九章晶体化学基础 钙钛矿CaTiO3 O2-位于立方晶胞晶棱的中点， Ca2+位于立方晶胞的中心，配 位数为12；Ti4+位于晶胞的角顶，配位数为6； Ti4+与八面体角顶的6个O配位 CaTiO3的立方原始晶胞 14
第九章晶体化学基础 第二规则：静电价 Ti Ca Ca2+:e.V.1=2/12=1/6 Ti4+:e.V.2=4/6=2/3 .Z=(n1×e.V1)t(n2Xe.v.2) 2=(n1×1/6)+(n2×2/3)e.V. n1=4;n2=2 ∴.每个02周围必须有4个Ca2+;2个Ti4+ 15 Crystallography 2东理2火军 HANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLO
Crystallography 第九章晶体化学基础 ∴每个O2-周围必须有4个Ca2+ ；2个Ti4+ 第二规则：静电价规则 Ca2+：e.v.1=2/12=1/6 Ti4+：e.v.2=4/6=2/3 ∵Z- =(n1 ×e.v.1 )+(n2×e.v.2 ) 2=(n1 ×1/6)+(n2×2/3) e.v. n1=4; n2=2 15