第九章晶体化学基础 )鲍林规则 ▣鲍林把离子晶格看成是由配位多面体联接 而成。 ▣其结构描述可归纳为两条： ▣配位多面体的形状； 日配位多面体的连结方式。 Crystallography 2东露火军
Crystallography 第九章晶体化学基础 鲍林把离子晶格看成是由配位多面体联接 而成。 其结构描述可归纳为两条： 配位多面体的形状； 配位多面体的连结方式。 1) 鲍林规则 6
第九章晶体化学基础 第一规则：阴离子多面体规则 ▣在阳离子周围形成一个阴离子的配位多面体 阴阳离子的距离是半径之和，阳离子的配位 数取决于两者半径之比。 Crystallography 2东露2名 HANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLO
Crystallography 第九章晶体化学基础 在阳离子周围形成一个阴离子的配位多面体， 阴阳离子的距离是半径之和，阳离子的配位 数取决于两者半径之比。 第一规则：阴离子多面体规则 7
第九章晶体化学基础 第二规则：静电价规则 口在一个稳定的离子晶格中，每一个阴离子的 电价，等于或近乎等于相邻各阳离子分配给 这个阴离子的静电键强度的总和。 02 02 02 Crystallography 免东露军
Crystallography 第九章晶体化学基础 在一个稳定的离子晶格中，每一个阴离子的 电价，等于或近乎等于相邻各阳离子分配给 这个阴离子的静电键强度的总和。 O2- Si4+ O2- O2- O2- 1 1 1 1 第二规则：静电价规则 8
第九章晶体化学基础 第二规则：静电价规则 口第一种书写方式 Z=∑S S=Z±/C.N ▣S一阳离子分配给配位多面体角顶上每个阴离子 的静电键强度； 口Z+阳离子电价： 口C.N.一阳离子配位数； ▣Z一阴离子电价。 Crystallography 2东爱2军 HANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLO
Crystallography 第九章晶体化学基础 第一种书写方式 Z- =∑S S=Z+ /C.N. S—阳离子分配给配位多面体角顶上每个阴离子 的静电键强度； Z+—阳离子电价； C.N.—阳离子配位数； Z-—阴离子电价。 第二规则：静电价规则 9
第九章晶体化学基础 第二规厕。静电价规厕 口第二种书写方式 Z-=ne.v. e.V.=Z±/C.N. ae.v.一阳离子分配给配位多面体角顶上每个阴离子 的静电键强度 0 Z+阳离子电价 ▣C.N.一阳离子配位数 ▣乙一阴离子电价 ▣n一阴离子周围的阳离子数目 10 Crystallography 本我尖军
Crystallography 第九章晶体化学基础 第二种书写方式 Z- =ne.v. e.v.= Z+ /C.N. e.v.—阳离子分配给配位多面体角顶上每个阴离子 的静电键强度 Z+—阳离子电价 C.N.—阳离子配位数 Z-—阴离子电价 n—阴离子周围的阳离子数目 第二规则：静电价规则 10