>PN结的形成 在N型半导体的基片上,采用平面扩散法等工艺, 掺入三价元素,使之形成P型区,则在P区和N区 之间的交界面处将形成一个很薄的空间电荷层, 称为PN结。PN结的典型厚度为0.5m PN结N区剖面 (基片)
➢ PN结的形成 在N型半导体的基片上，采用平面扩散法等工艺， 掺入三价元素，使之形成P型区，则在P区和N区 之间的交界面处将形成一个很薄的空间电荷层， 称为PN结。PN结的典型厚度为0.5m
P区 N区 PN结叫 999999eeee O OI OOOOJoO6o同Qoee P区空穴(多子)向N区扩散, 内建电场E 留下不能移动的负离子 内建 电位 电位分布曲线 N区电子(多子)向P区扩散, 留下不能移动的正离子; 0 正负离子形成空间电荷层。 内电场是多子的扩散运 动引起的
P区空穴(多子)向N区扩散， 留下不能移动的负离子； N区电子(多子)向P区扩散， 留下不能移动的正离子； 正负离子形成空间电荷层。 内电场是多子的扩散运 动引起的
PN结 内电场的影响: 阻碍多子的扩散运动 促进少子的漂移运动 ○QoO⊙od④ 多子扩散运动使PN结变厚 oRIOlo⊙e@ 少子漂移运动使PN结变薄 内建电场E 没有外加电压时,多子扩 散电流与少子漂移电流达 扩散电流(多子) 到动态平衡。空间电荷层 PO⑨;N 的宽度和内建电位的高度 多子0-O同;·多子 ○ 才能相对稳定下来。此时,少子°O|e;-。少子 有多少个多子扩散到对方, ○d 就有多少个少子从对方漂 漂移电流(少子) 移回来
内电场的影响： • 阻碍多子的扩散运动 • 促进少子的漂移运动 多子扩散运动使PN结变厚 少子漂移运动使PN结变薄 没有外加电压时，多子扩 散电流与少子漂移电流达 到动态平衡。空间电荷层 的宽度和内建电位的高度 才能相对稳定下来。此时， 有多少个多子扩散到对方， 就有多少个少子从对方漂 移回来
P区 N区 交界面两侧有浓度差 99909@oooO 多子扩散 复合 形成空间电荷层 上PN结→ 内建电场E 阻碍多子扩散加速少子漂移 ○○OO○e(G 动态平衡,净电流为零 内建电场E 名称]:空间电荷层、势垒区、阻挡层、高阻区 阻挡层:强调对多子扩散运动的阻挡作用 耗尽层:强调PN结内的载流子浓度减到最小
阻挡层：强调对多子扩散运动的阻挡作用 耗尽层：强调PN结内的载流子浓度减到最小 [名称]：空间电荷层、势垒区、阻挡层、高阻区 多子扩散 加速少子漂移 交界面两侧有浓度差 复合 形成空间电荷层 内建电场E 阻碍多子扩散 动态平衡，净电流为零
>PN结的单向导电性 -lD(多子扩散) 正偏:P(+)N(-) OOO④④e 外加电场与PN结内电场 方向相反 N区电子进入空间电荷 层,使PN结厚度变薄。 ooQ○|eeo 多子的扩散电流大大增加 少子的漂移电流远远小于 扩散电流 原电位分布曲线 正向电流近似为多子的扩 散电流
➢ PN结的单向导电性 • 正偏：P(＋) N(－) 外加电场与PN结内电场 方向相反 N区电子进入空间电荷 层，使PN结厚度变薄。 多子的扩散电流大大增加 少子的漂移电流远远小于 扩散电流 正向电流近似为多子的扩 散电流 P N