3.4.2一级运放1.各种基本结构VDDVODMMVb.EMM3Vout2oVoutVoutiCCLCLTVin10-FMM220Vin2M2HMDIssIss::(b)(a)A=gmN(ronllrop)在亚微米器件的典型电流值下，增益很难超过20带宽通常由负载电容C，决定。(a)电路有一个镜像极点，(b)电路没有，这对电路稳定性有很大影响。2008-3-24
2008-3-24 8 3.4.2 一级运放 1.各种基本结构 Av=gmN(rON||rOP) 带宽通常由负载电容CL决定。 (a)电路有一个镜像极点，(b)电路没有，这对电路稳定性有很大影响。 在亚微米器件的典型电流值下，增益很难超过20
一级运放接成单位增益缓冲器VpDM4M3oufVoutVinoHM1M22输出跟随输入变化①IssVin,min=VGs1+VoDss=0.3+0.7+0.3=1.3Vin,max=VpD-lVGs3/+VTH1=3-1.0+0.7=2.7输入共模电压范围为1.4闭环输出阻抗为(ropllron)/(1+9mN(roplIron)）～1/gmN2008-3-24
2008-3-24 9 一级运放接成单位增益缓冲器 Vin,min=VGS1+VODSS=0.3+0.7+0.3=1.3 Vin,max=VDD-|VGS3|+VTH1=3-1.0+0.7=2.7 输入共模电压范围为1.4 闭环输出阻抗为(rOP||rON)/(1+gmN(rOP||rON)) ≈1/gmN 输出跟随输入变化
共源共栅运放VoDVoDM7MsM7Vb3MsxM5M62M5Vb2FM6oVoutVoutVp1M3MAM3M北MM2M1M2VinVin①IssOIss吉吉(a)(b)特点：高增益；高速；输出摆幅减小。也叫套筒式共源共栅A,=gmn[(gmNron2)ll(gmprop2))102008-3-24
2008-3-24 10 特点：高增益；高速；输出摆幅减小。也叫套筒式共源共栅 共源共栅运放 Av＝gmN[(gmNrON2)||(gmPrOP2)]
套筒式共源共栅运放难以接成单位增益级VODHMsMTH要保证M2和M4都工作在饱和区。VpM57MeVGS4-VTH2oVoutVTH4Vhe1允许范围MM4XVb-VTH4VinoMM2(缓冲器)允许的输OIss出范围小于一个阈值。2008-3-2411
2008-3-24 11 套筒式共源共栅运放难以接成单位增益级 (缓冲器)允许的输 出范围小于一个阈 值。 要保证M2和M4都工作在饱和区
折叠共源共栅运放VDDDr1IOVoVVinMoutoutM2M2M,VinoNMOS共源共栅放大器折叠成PMOS输入器件122008-3-24
2008-3-24 12 折叠共源共栅运放 NMOS共源共栅放大器折叠成PMOS输入器件