清華火兰 付论：解决两个问题 ·如何判断二极管的工作状态？ ·什么情况下应选用二极管的什么等效电路？ V-up R 对V和U二极管的模 V与uo可比，则需图解： 型有什么不同？ i/mA 6 实测特性 汁 up=V-iR R Up u/V 华诚英hchya@tsinghua.edu.cn
华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 讨论：解决两个问题 • 如何判断二极管的工作状态？ • 什么情况下应选用二极管的什么等效电路？ Q uD =V－iR ID UD R uV i D D V与uD可比，则需图解： 实测特性 对V和Ui二极管的模 型有什么不同？
清苇大兰 五、稳在二极管 限流电阻 1.伏安特性 由一个PN结组 U, 成，反向击穿后 在一定的电流范 D2不 围内端电压基本 不变，为稳定电 斜率？ 压。 进入稳压区的最小电流 已.主要参数 不至于损坏的最大电流 稳定电压U2、稳定电流Iz 最大功耗PM=IZMU2 动态电阻r,=△U2/△2 若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会 因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电 流的限流电阻！ 华成英hcya@tsinghua.educ
华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 五、稳压二极管 1. 伏安特性 进入稳压区的最小电流 不至于损坏的最大电流 由一个PN结组 成，反向击穿后 在一定的电流范 围内端电压基本 不变，为稳定电 压。 2. 主要参数 稳定电压UZ、稳定电流IZ 最大功耗PZM＝ IZM UZ 动态电阻rz＝ΔUZ /ΔIZ 若稳压管的电流太小则不稳压，若稳压管的电流太大则会 因功耗过大而损坏，因而稳压管电路中必需有限制稳压管电 流的限流电阻！ 限流电阻 斜率？
清華火兰 §1.3晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 华成英hchya@tsinghua.edu.cn
华成英 hchya@tsinghua.edu.cn §1.3 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数
清苇大当 、晶体管的结构和符号 电极」 小功率管 中功率管 大功率管 发射区基区集电区 eo -Oc 发射极 集电极 多子浓度高 oe oe 发射结 集电结 NPN型 PNP型 基极 多子浓度很 面积大 低，且很薄 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 华成英hchya@tsinghua.edu.c
华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 一、晶体管的结构和符号 多子浓度高 多子浓度很 低，且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔？
清華火兰 二、晶体管的放大原理 放大的条件 E>U(发射结正偏) hcB≥0，即ucE≥uE集电结反偏) 少数载流 因集电区面积大，在外电场作用下大 子的运动 R 部分扩散到基区的电子漂移到集电区 BN 因基区薄且多子浓度低，使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合 VBB 因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区 基区空穴 的扩散 扩散运动形成发射极电流！，复合运动形成基极电 流Ig,漂移运动形成集电极电流Ic。 华弦hchva@tsinghua.edu.cn
华成英 hchya@tsinghua.edu.cn 二、晶体管的放大原理 ，即 （集电结反偏） （发射结正偏） 放大的条件 CB CE BE BE on u 0 uu Uu 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电 流I B，漂移运动形成集电极电流IC。 少数载流 子的运动 因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大 部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴 的扩散