因此，拉曼光谱图是以拉曼位移为横坐标，谱带 强度为纵坐标作图得到。 拉曼位移(Raman shift) △V=司V格曼散射一V张发光 即曼数射光频率与激发光频率之差取绝对值。△V 取决于分子振动能级的分布，具有特征性。 由于拉曼光谱是以激发光波数作为零并处于图的最 边且略去反斯托克斯线而得到的谱带，因此得到的是 便于与红外吸收光谱相比较的拉曼光谱图。 与入射光波长无关 适用于分子结构分析
拉曼位移（Raman shift） Δν=| ν拉曼散射 – ν激发光 | 即拉曼散射光频率与激发光频率之差取绝对值。Δv 取决于分子振动能级的分布，具有特征性。 由于拉曼光谱是以激发光波数作为零并处于图的最 边且略去反斯托克斯线而得到的谱带，因此得到的是 便于与红外吸收光谱相比较的拉曼光谱图。 适用于分子结构分析 与入射光波长无关 因此，拉曼光谱图是以拉曼位移为横坐标，谱带 强度为纵坐标作图得到
3、拉曼光谱与分子极化率的关系 拉曼活性取决于振动中极化率是否变化。 若分子在电场E(光波的电磁场)中，产生诱导偶极距 u= aE 反映了分子中电子云 变形的难易程度 α为极化车 分子极化率是诱导偶极矩与外电场的强度之比 ·分子中两原子距离最大时，α也最大 ·拉曼散射强度与极化率成正比例关系
3、拉曼光谱与分子极化率的关系 ◼ 分子极化率是诱导偶极矩与外电场的强度之比 ◼ 分子中两原子距离最大时，α也最大 ◼ 拉曼散射强度与极化率成正比例关系 拉曼活性取决于振动中极化率是否变化。 μ ＝ αE α为极化率 反映了分子中电子云 变形的难易程度 若分子在电场E（光波的电磁场）中，产生诱导偶极距μ