《EDA技术》课程教学资源（课件讲稿）第2章 PLD硬件特性与编程技术

2.2低密度PLD可编程原理2.2.2 PROMW.FoA与阵列WAF或阵列（不可(可编程）N编程)FAm-1p=2n图2-10PROM的逻辑阵列结构

2.2.2 PROM 与阵列 （不可 编程） 或阵列 （可编程） . . . A0 A1 An1 W0 W1 Wp1 F0 F1 Fm1 n p  2 图2-10 PROM的逻辑阵列结构 2.2 低密度PLD可编程原理

2.2低密度PLD可编程原理A或阵列2.2.2 PROM（可编程）米米S= A, AC= A ·AlA AlAo Ao与阵列（固定）FF图2-11PROM表达的PLD阵列图

2.2.2 PROM 图2-11 PROM表达的PLD阵列图 与阵列（固定） 或阵列 （可编程） A1 A0 A1 A1 A0 A0 F1 F0 0 1 0 1 C A A S A A     2.2 低密度PLD可编程原理

2.2低密度PLD可编程原理A2.2.2 PROM或阵列（可编程）F0 = A0A1+ A0A1F1= A1A0AAoAAl与阵列（固定）FIF图2-12用PROM完成半加器逻辑阵列

2.2.2 PROM 图2-12 用PROM完成半加器逻辑阵列 1 1 0 0 0 1 0 1 F A A F A A A A    与阵列（固定） 或阵列 （可编程） A1 A0 A1 A1 A0 A0 F1 F0 2.2 低密度PLD可编程原理

2.2低密度PLD可编程原理A2.2.3 PLA或阵列（可编程）****AAoA, AlFF与阵列（可编程）图2-13PLA逻辑阵列示意图

2.2.3 PLA 图2-13 PLA逻辑阵列示意图 与阵列（可编程） 或阵列 （可编程） A1 A0 A1 A1 A0 A0 F1 F0 2.2 低密度PLD可编程原理

2.2低密度PLD可编程原理2.2.3 PLA7F2FFF.A图2-14PLA与PROM的比较

2.2.3 PLA 图2-14 PLA与 PROM的比较 A1 A0 F1 F0 A2 F2 A1 A0 F1 F0 A2 F2 2.2 低密度PLD可编程原理