2.2低密度PLD可编程原理2.2.4 PAL**米Fo****米米****F****FF图2-15PAL结构图2-16PAL的常用表示
2.2.4 PAL 图2-15 PAL结构 图2-16 PAL的常用表示 A1 A0 F1 F0 A0 A1 F1 F0 2.2 低密度PLD可编程原理
L2图2-17一种PAL16V8的部分结构图
图2-17 一种PAL16V8的部分结构图 11 10 01 00 R 11 10 01 00 R Q D Q 11 10 01 00 R 11 10 01 00 R Vcc SG1 SL07 SL17 SG0 SL06 19 I/O7 11 10 01 00 R 11 10 01 00 R Q D Q 11 10 01 00 R 11 10 01 00 R Vcc SG1 SL06 SL16 SG1 SL06 18 I/O6 CLK/I0 1 I1 2 I2 3 0 7 8 15 0 3 4 7 8 11 12 15 16 19 20 23 24 27 28 31
2.2个低密度PLD可编程原理2.2.5 GALGAL即通用阵列逻辑器件，首次在PLD上采用了EEPROM工艺，使得GAL具有电可擦除重复编程的特点，彻底解决了熔丝型可编程器件的一次可编程问题。GAL在“与-或”阵列结构上沿用了PAL的与阵列可编程、或阵列固定的结构，但对PAL的输出I/O结构进行了较大的改进，在GAL的输出部分增加了输出逻辑宏单元OLMC(Output Macro Cell)
2.2.5 GAL 2.2 低密度PLD可编程原理 GAL即通用阵列逻辑器件，首次在PLD上采用了 EEPROM工艺，使得GAL具有电可擦除重复编程的特点， 彻底解决了熔丝型可编程器件的一次可编程问题。GAL 在“与-或”阵列结构上沿用了PAL的与阵列可编程、或 阵列固定的结构，但对PAL的输出I/O结构进行了较大的 改进，在GAL的输出部分增加了输出逻辑宏单元 OLMC(Output Macro Cell)