正极 负极 正极 负极 管壳PN结 电流方向 (a) (b) 正极 铝合金小球 siO保护层 P型层P正极 金属触丝 P型层 N型锗 N型硅 支架 负极 负极 (a)结构示意图;(b)符号;(c)点接触型;(d)面接触型
◆二极管的特性及参数 1.二极管伏安特性 理论分析指出,半导体二极管电流I与端电压U之 间的关系可表示为 I-Is( 此式称为理想二极管电流方程。式中,I称为反 向饱和电流,U称为温度的电压当量,常温下U1≈26 mV。实际的二极管伏安特性曲线如图所示。图中,实 线对应硅材料二极管,虚线对应锗材料二极管
1． 二极管伏安特性 理论分析指出， 半导体二极管电流I与端电压U之 间的关系可表示为 I=IS ( -1) 此式称为理想二极管电流方程。式中，IS称为反 向饱和电流，UT称为温度的电压当量，常温下UT≈26 mV。实际的二极管伏安特性曲线如图所示。图中，实 线对应硅材料二极管，虚线对应锗材料二极管。 UT U e 二极管的特性及参数
I/mA 30锗 硅 10 100806040200 02040.6UV 20 WHA 二极管伏安特性曲线
1)正向特性 当二极管承受正向电压小于某一数值时,还不足以 克服N结内电场对多数载流子运动的阻挡作用,这一区 段二极管正向电流I很小,称为死区。死区电压的大小 与二极管的材料有关,并受环境温度影响。通常,硅材 料二极管的死区电压约为0.5V,锗材料二极管的死区电 压约为0.2V。 当正向电压超过死区电压值时,外电场抵消了内电 场,正向电流随外加电压的增加而明显增大,二极管正 向电阻变得很小。当二极管完全导通后,正向压降基本 维持不变,称为二极管正向导通压降UF。一般硅管的UF 为07V,锗管的U为0.3V
1） 当二极管承受正向电压小于某一数值时， 还不足以 克服PN结内电场对多数载流子运动的阻挡作用，这一区 段二极管正向电流IF很小，称为死区。死区电压的大小 与二极管的材料有关，并受环境温度影响。通常，硅材 料二极管的死区电压约为0.5 V，锗材料二极管的死区电 压约为0.2V。 当正向电压超过死区电压值时，外电场抵消了内电 场，正向电流随外加电压的增加而明显增大，二极管正 向电阻变得很小。当二极管完全导通后，正向压降基本 维持不变，称为二极管正向导通压降UF。一般硅管的UF 为0.7V，锗管的UF为0.3V
2)反向特性 当二极管承受反向电压时,外电场与内电场方 向一致,只有少数载流子的漂移运动,形成的漏电 流I极小,一般硅管的I为几微安以下,锗管I较大, 为几十到几百微安。这时二极管反向截止 当反向电压增大到某一数值时,反向电流将随 反向电压的增加而急剧增大,这种现象称二极管反 向击穿。击穿时对应的电压称为反向击穿电压。普 通二极管发生反向击穿后,造成二极管的永久性损 坏,失去单向导电性
2） 当二极管承受反向电压时，外电场与内电场方 向一致， 只有少数载流子的漂移运动，形成的漏电 流IR极小，一般硅管的IR为几微安以下，锗管IR较大， 为几十到几百微安。这时二极管反向截止。 当反向电压增大到某一数值时，反向电流将随 反向电压的增加而急剧增大，这种现象称二极管反 向击穿。击穿时对应的电压称为反向击穿电压。普 通二极管发生反向击穿后，造成二极管的永久性损 坏，失去单向导电性