7.2只读存储器ROM存储矩阵：由若干存储单元排列成矩阵形式。储存单元：可由二极管、双极性三极管或MOS管构成输出缓冲器：增加带负载能力；同时提供三态控制，以便和系统的总线相连Digital ElectronicsTechnology
Digital Electronics Technology 存储矩阵：由若干存储单元排列成矩阵形式。 储存单元：可由二极管、双极性三极管或MOS管构成。 输出缓冲器：增加带负载能力；同时提供三态控制，以 便和系统的总线相连。 7.2 只读存储器ROM
7.2只读存储器ROMVco1.工作原理二一四线译码器女?地址译码器区区A,A的四个最小项?A.K*当EN=0时，D,=D字线D3 = Wi+W3W.W,W.W,位线输出缓油= A,A,+A,Ao=A0KD's国D3KKD存储矩阵路DD2= Wi= Ai+AoXKD,D,ENDi= D;= Ao衣?D医DDo = W,+ Wo = AENDigital Electronics Technology
Digital Electronics Technology 7.2 只读存储器ROM 1. 工作原理 二－四线 译码器 A1 ,A0的四 个最小项 字线 位线 当EN=0时， Di Di = D1= D3 = A0 D0 = W1+ W0 = A1 D3 = W1+W3 = A1A0+A1A0=A0 D2= W1= A1+A0
7.2只读存储器ROM地址数据AlD3D2DiAoDo000011001111000101011111Digital Electronics Technology
Digital Electronics Technology 7.2 只读存储器ROM 地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0
7.2只读存储器ROM用MOS工艺制造的ROM的存储矩阵如图所示：W。WiW2WFVDDAFFDENDigital ElectronicsTechnology
Digital Electronics Technology 7.2 只读存储器ROM 用MOS工艺制造的ROM的存储矩阵如图所示：
7.2只读存储器ROM二、可编程只读存储器PROMVcc产品出厂时存的全是1，用户可一次性写入，即把某些1字改为0。但不能多次擦除线熔丝存储单元多采用熔丝－低位线熔点金属或多晶硅。写入时设法在熔丝上通入较大的电流将编程时Vcc和熔丝烧断。字线电压提高Digital Electronics Technology
Digital Electronics Technology 二、可编程只读存储器PROM 产品出厂时存的全是1，用 户可一次性写入，即把某些1 改为0。但不能多次擦除。 存储单元多采用熔丝－低 熔点金属或多晶硅。写入时设 法在熔丝上通入较大的电流将 熔丝烧断。 编程时VCC和 字线电压提高 7.2 只读存储器ROM