第五拿 准庵电敬场 例53.1研究双层有损介质平板电容器接至直流电压 源的过渡过程,写出分界面上面电荷密度σ的表达式。 解:极板间是EQS场 a-b aE,+bEr=Us 分界面衔接条件 (2E2-E1)+(E2E2-E1E1)=0图532双层有损介质的平板 at 电容器 解方程,得面电荷密度为 y O 2U(1-e) ay2+by 结论电荷的驰豫过程导致分界面有累积的面电荷。 「返回「上页「下页
第 五 章 准静态电磁场 结论 电荷的驰豫过程导致分界面有累积的面电荷。 解： 极板间是EQS场 E S aE1 +b 2 = U 分界面衔接条件 ( ) ( ) 0 2 2 1 1 2 2 − 1 1 = − + E E t E E 解方程，得面电荷密度为 (1 e ) τ t 2 1 2 1 1 2 − − + − = Us a b σ 例5.3.1 研究双层有损介质平板电容器接至直流电压 源的过渡过程，写出分界面上面电荷密度 的表达式。 返 回 上 页 下 页 图5.3.2 双层有损介质的平板 电容器
第五拿 准庵电敬场 54集肤效应与邻近效应 Skin effect and proximate effect 54.1集肤效应( Skin effect 概念1时变场中的良导体 在正弦电磁场中,=+J=yE+j0E 满足y>>Og的材料称为良导体,良导体可以忽 略位移电流,属于MQS场。 概念2集肤效应 在导体表面处的场量强电河 流大,愈深入导体內部,场量减 弱、电流减小。 图54.1集肤效应的产生 「返回「上页「下页
第 五 章 准静态电磁场 在导体表面处的场量强、电 流大，愈深入导体内部，场量减 弱、电流减小。 5.4.1 集肤效应 ( Skin Effect ) 图5.4.1 集肤效应的产生 5.4 集肤效应与邻近效应 Skin Effect and Proximate Effect 概念1 时变场中的良导体 在正弦电磁场中， ， 满足 的材料称为良导体，良导体可以忽 略位移电流，属于MQS场。 J J J E E j = C + D = + 概念2 集肤效应 返 回 上 页 下 页