3.1.3杂质半导体1. N型半导体多数载流子可见：自庄a.N型半导体中自由电子很多(多中数载流子)，空穴很少(少数载流子);施主b.导电性能显著增加。磷(P)
1. N型半导体 +5 磷（P） 多数载流子 3.1.3 杂质半导体 可见： a . N 型半导体中自由电子很多(多 数载流子)，空穴很少(少数载流 子) ； b . 导电性能显著增加
2. P型半导体多数载流子空穴空位可见：+3a.P型半导体中自由电子很少受主(少子)，空穴很多(多子)原子b.导电性能显著增加。硼(B)
2. P型半导体 +3 硼（B） 多数载流子 可见： a .P 型半导体中自由电子很少 (少子)，空穴很多(多子)； b.导电性能显著增加
注意：>杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。>少子数量极少，但受温度的影响很大，其数量随温度的升高而增多。在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？
➢ 杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多 子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。 注意： ➢ 少子数量极少，但受温度的影响很大，其数量随温度的 升高而增多。 在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化 吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的 变化相同吗？
$ 3.2PN结的形成及单向导电性3. 2.1 PN结的形成物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动空穴负离子正离子自由电子P区空穴N区自由电浓度远高子浓度远高于N区。于P区。P区N区扩散运动扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场
物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。 扩散运动 P区空穴 浓度远高 于N区。 N区自由电 子浓度远高 于P区。 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面 N区的自由电子浓度降低，产生内电场。 §3.2 PN结的形成及单向导电性 3.2.1 PN结的形成
由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N区运动。空间电荷区漂移运动因电场作用所产生的运动称为漂移运动。O+P区N区达到动态参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，平衡，就形成了PN结
因电场作用所产 生的运动称为漂移 运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态 平衡，就形成了PN结。 漂移运动 由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成 内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P 区、自由电子从P区向N 区运动