第一篇 习题 半导体中的电子状态 1-1、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 1-2、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、 试指出空穴的主要特征

区熔是1952年 蒲凡 提出的一种物理提 纯的方法。它是制备超纯半导体材料， 高纯金属的重要方法

pn结是在同一块半导体中用掺杂的办法做成 两个导电类型不同的部分。一般pn结的两边 是用同一种材料做成的，也称为“同质结”

（1）无机物半导体：元素半导体（Ge,Si）；化合物半导体：二、六族，三、五族。 （2）有机物半导体

一．简答题。 1.简述半导体材料的概念，特征及发展历史，并分别表明代表性的材料

一、前10章，重点前7章 二、课上补充内容 三、 作业

一、根据物质的导电性,物质可以分为哪几种? 二、集成电路中主要研究的是哪种?原因是什么?

一、外延生长用来生长薄层单晶材料，即薄膜 二、外延生长：在一定条件下，在单晶衬底上，生长一层合乎要求的单晶层的方法

一、杂质能级 二、杂质对材料性能的影响

1.晶体生长的一般方法(掌握) 晶体是在物相转变的情况下形成的。 物相有三种，即气相、液相和固相