、DTL与非门电路 工作原理 (1)当A、B、C全接为高电平5V时,二极管D1D3都截止,而D4 D5和T导通,且T为饱和导通,V=0.3V,即输出低电平。 (2)A、B、C中只要有一个为低电平0.3V时,则V≈1V,从而使D4 D和T都截止,V=VC=5V,即输出高电平。 所以该电路满足与非逻辑关系,即:L=A.B,C +vcc (+5v) R R 3k Q2 1k Q2 D D L A D2 RI D 4.7k9
L = A B C 三、DTL与非门电路 工作原理： （1）当A、B、C全接为高电平5V时，二极管D1～D3都截止，而D4、 D5和T导通，且T为饱和导通， VL =0.3V，即输出低电平。 （2）A、B、C中只要有一个为低电平0.3V时，则VP≈1V，从而使D4、 D5和T都截止，VL=VCC=5V，即输出高电平。 所以该电路满足与非逻辑关系，即： A B C L +V D D D 1 2 D D 3 1 R 2 3 CC（ +5V） R1 Rc T 4 5 P 3kΩ 1kΩ 4.7kΩ
2.2TTL逻辑门电路 o+c(+5V) R rc 1. TTL 1k Q T RI 4.7kQ +lc(+5V) 9+lcc(+5V) B A B T
2.2 TTL逻辑门电路 一、TTL与非门的基本结构及工作原理 1．TTL与非门的基本结构 B A C +V R P CC （ +5V） P P N P N N N +V 1 3 CC （ +5V） A B C T b 1 R 1
C(+5V) Re R 1.6kg 130g D 2 B R 1k Q2 输入级 中间级 输出级
+V V 1 2 3 1 2 3 D 1 2 3 1 3 CC（ +5V） R 130Ω A B C T T T R T 4kΩ Rb 1 1 2 4 3 c2 c4 Re2 o V V c2 e2 输入级 中间级 输出级 1.6kΩ 1kΩ
2.TTL与非门的逻辑关系 (1)输入全为高电平3.6V时。 T2、T3导通,VB1=0.7×3=2.1(V) 由于T饱和导通,输出电压为:V=VcEs3≈0.3V 这时T2也饱和导通, C(+5V) 故有vC2=vB2+Vc2=1v。 Re2 R 使T4和二极管D都截止。 1.6kg 130 实现了与非门的逻辑功能之 4k9 T4截止 输入全为高电平时, 2.1V 71.4V D截止 输出为低电平。 T2饱和 T 倒置状态 0.7v 0.3v T R 饱和 3.6V 2
2．TTL与非门的逻辑关系 （1）输入全为高电平3.6V时。 T2、T3导通，VB1=0.7×3=2.1（V ）， 由于T3饱和导通，输出电压为：VO=VCES3≈0.3V 这时T2也饱和导通， 故有VC2=VE2+ VCE2=1V。 使T4和二极管D都截止。 实现了与非门的逻辑功能之一： 输入全为高电平时， 输出为低电平。 +V V 3.6V 1 3 1 2 3 1 2 3 1 2 3 D CC（ +5V） R A C B T T T R T 1K Rb 1 1 2 4 3 c2 c4 Re2 o 2.1V 1.4V 0.7V 1V 0.3V 倒置状态 饱和 饱和 截止 截止 4kΩ 1.6kΩ 130Ω
(2)输入有低电平0.3V时。 该发射结导通,B1=1v。所以T2、T3都截止。由于T2截止,流过Rc2的 电流较小,可以忽略,所以V4≈V=5V,使T4和D导通,则有: V≈ VCCVBE4Vb=5-0.7-0.7=3.6(V) 实现了与非门的逻辑功能的另一方面: 输入有低电平时,输出为高电平。 + CC 综合上述两种情况, 1.6kg 130g 该电路满足与非的 4k9 sV T,导通 逻辑功能,即: 3.6V IV 4.3V D导通 A T2截止 L=A·B·C 饱和 3.6V T 截止 0.3V 1k Q2
L = A B C 该发射结导通，VB1=1V。所以T2、T3都截止。由于T2截止，流过RC2的 电流较小，可以忽略，所以VB4≈VCC=5V ，使T4和D导通，则有： VO≈VCC-VBE4-VD=5-0.7-0.7=3.6（V） 实现了与非门的逻辑功能的另一方面： 输入有低电平时，输出为高电平。 综合上述两种情况， 该电路满足与非的 逻辑功能，即： +V V 0.3V 3.6V 1 3 1 2 3 1 2 3 1 2 3 D R o 130Ω 1 c2 c4 3 B A CC T2 R C R R T 4 b 1 T T 4kΩ e2 1V 5V 3.6V 饱和 截止 截止 导通 导通 4.3V 1.6kΩ 1kΩ （2）输入有低电平0.3V 时