5.1.2N沟道耗尽型MOSFET一。结构和工作原理（N沟道）idsr掺杂后具有正gn二氧化硅离子的绝缘层di/++17N*N*衬底0apo耗尽层BN型沟道PS·B衬底引线1）Ucs=0，存在导电沟道，此时，Uds>0,有in2）Ucs>0，导电沟道变宽，此时ip，无栅流3）Ucs<0，导电沟道变窄，此时ipl，当Ucs<Up，i=0
5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 一. 结构和工作原理（N沟道） 1）UGS=0，存在导电沟道，此时，Uds>0,有iD 2）UGS >0，导电沟道变宽，此时iD↑，无栅流 3）UGS <0，导电沟道变窄，此时iD↓，当UGS< UP，iD = 0
2.V-I特性曲线及大信号特性方程ip/mAip/mAlUDs=VGs-Vp可变十饱和区8H电阻区-4V862V6UGS=OVIDss4-2V-4V22一截止区Vp036915UDs/V12024UGs/V-6-2-4UGS2UGS-1)2(N沟道增强型）VpVr
2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 2 (1 ) P GS D DSS V i I v 2 ( 1) T GS D DO V i I v （N沟道增强型）
5.1.3P沟道MOSFETdodoBPODOODOOSOS(a)(b)（a）增强型电路符号（b）耗尽型电路符号
5.1.3 P沟道MOSFET
(了解）5.1.4沟道长度调制效应实际上饱和区的曲线并不是平坦的修正后 ip = K,(Ucs -V)(1+ AUps) = IUGS1)2(1 + ps)noVT0.1V-1L的单位为μum2~Lip/mAUDs/2当不考虑沟道调制效应时，=0，曲线是平坦的
5.1.4 沟道长度调制效应（了解） 实际上饱和区的曲线并不是平坦的 ( ) ( ) D n GS T DS v 1 v 2 i K V ( ) ( ) DS T GS DO v v 1 1 2 V I V 1 L的单位为m 0.1 L 当不考虑沟道调制效应时，＝0，曲线是平坦的。 修正后
5.1.5MOSFET的主要参数一、直流参数（增强型参数）1.开启电压V2.夹断电压Vp（耗尽型参数）3.（耗尽型参数）饱和漏电流Ipss4.直流输入电阻RGs（1092～10152）二、交流参数1．输出电阻rdsOUDSrdsQipVGS反映Ups对Ip的影响，是输出特性某一点上切线斜率的导数，一般几十于欧到几百千欧
5.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 1. 开启电压VT （增强型参数） 2. 夹断电压VP （耗尽型参数） 3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ） 二、交流参数 1. 输出电阻rds D GS DS ds i V r v 反映UDS对ID的影响，是输出特性某一点上切线斜率的导 数，一般几十千欧到几百千欧