第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 电位V 9999@q⑨⑨ P型区 空间电N型区 荷区 妾卖学信息学院 <■结束D
(1-21) 第1章 常用半导体器件 21 (1-21) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 空间电 荷区 P型区 N型区 电位V V0
心第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 注意: 1、空间电荷区中没有载流子。 2、空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴、N区 中的电子(都是多子)向对方运动(扩散 运动)。 3、P区中的电子和N区中的空穴(都是 少),数量有限,因此由它们形成的电流 很小。 妾卖学信息学院 <■结束D
(1-22) 第1章 常用半导体器件 22 (1-22) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 1、空间电荷区中没有载流子。 2、空间电荷区中内电场阻碍P中的空穴、N区 中的电子（都是多子）向对方运动（扩散 运动）。 3、P 区中的电子和 N区中的空穴（都是 少），数量有限，因此由它们形成的电流 很小。 注意:
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 二、NN结的单向导电性 PN结加上正向电压、正向偏置的意思都是:P区 加正、N区加负电压。 PN结加上反向电压、反向偏置的意思都是:P区 加负、N区加正电压。 妾卖学信息学院 <■结束D
(1-23) 第1章 常用半导体器件 23 (1-23) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 二、 PN结的单向导电性 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区 加正、N 区加负电压。 PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区 加负、N 区加正电压
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 1、PN结正向偏置 内电场被削弱,多子的扩 变薄 散加强能够形成较大的扩 散电流。 动画演示 外电场 内电场 R E 妾卖学信息学院 <■结束D
(1-24) 第1章 常用半导体器件 24 (1-24) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 － － － － + + + + R E 1、PN 结正向偏置 内电场 外电场 变薄 P N + 内电场被削弱，多子的扩 散加强能够形成较大的扩 散电流。 动画演示
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 2、PN结反向偏置 内电场被加强,多子的扩散 受抑制。少子漂移加强,但 变厚 少子数量有限,只能形成较 小的反向电流。 动画演示 内电场 外电场 R E 妾卖学信息学院 <■结束D
(1-25) 第1章 常用半导体器件 25 (1-25) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 2、PN 结反向偏置 － － － － + + + + 内电场 外电场 变厚 P N _ + 内电场被加强，多子的扩散 受抑制。少子漂移加强，但 少子数量有限，只能形成较 小的反向电流。 R E 动画演示