p型翠导体 用半导体器件 模拟电子技术基础 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素,如硼 (或铟),晶体点阵中的某些半导体原子被杂质 取代,硼原子的最外层有三个价电子,与相邻的 半导体原子形成共价键 空穴>< 时,产生一个空穴。这个 空穴可能吸引束缚电子来 填补,使得硼原子成为不 3x0> 能移动的带负电的离子 +3 +4 由于硼原子接受电子,所 以称为受主原子。 硼原子X9 P型半景体史空穴是多子,电子是少子。 <■结束D
(1-16) 第1章 常用半导体器件 16 (1-16) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 二、P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼 （或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质 取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的 半导体原子形成共价键 时，产生一个空穴。这个 空穴可能吸引束缚电子来 填补，使得硼原子成为不 能移动的带负电的离子。 由于硼原子接受电子，所 以称为受主原子。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 、杂质半导体的示意表示法 OOOOOO 399999守傅 ④((( 9999999 P型半导体 N型半导体 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。 但由于数量的关系,起导电作用的主要是多子 近似认为多子与杂质浓度相等。 妾卖学信息学院 [[束D
(1-17) 第1章 常用半导体器件 17 (1-17) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 三、杂质半导体的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。 但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。 近似认为多子与杂质浓度相等
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 1.1.3PN结 、PN结的形成 在同一片半导体基片上,分别制造P型半导 体和N型半导体,经过载流子的扩散,在它们的 交界面处就形成了PN结。 动画演示 妾卖学信息学院 K<■结束D
(1-18) 第1章 常用半导体器件 18 (1-18) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 1.1.3 PN结 一、 PN 结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导 体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的 交界面处就形成了PN 结。 动画演示
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 内电场越强,就使漂移运 动越强,而漂移使空间电 荷区变薄。 漂移运动 P型半导体 库电场E半导体 eeeoeolo④④ 99999同9q守 扩散的结果是使空间电 空间电荷区, 荷区逐渐加宽,空间电 也称耗尽层。 扩散运动荷区越宽 安卖学一信息学院 <■
(1-19) 第1章 常用半导体器件 19 (1-19) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 漂移运动 扩散的结果是使空间电 荷区逐渐加宽，空间电 荷区越宽。 内电场越强，就使漂移运 动越强，而漂移使空间电 荷区变薄。 空间电荷区， 也称耗尽层
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 漂移运动 P型半导体 N型半导体 内电场E 99999⊙qqq 9999⊙qqqq 99999@99 所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡, 相当于两个区之间没有电荷运动,空间电荷区的厚 度固定不变。 強妾卖学信息学院 K<■结束D
(1-20) 第1章 常用半导体器件 20 (1-20) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 漂移运动 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡， 相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚 度固定不变