第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 FN结的电流方程 qu 理论分析表明:i=ls(e-1) U S (er-1) kT 其中 T ≈26m称为温度电压当 量 Ⅰ。称为反向饱和电 流。 L>0 i≈lse称为正向特性。 <0 称为反向特性 妾卖学信息学院 <■结束D
(1-26) 第1章 常用半导体器件 26 (1-26) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 三、 PN结的电流方程 ( 1) ( 1) UT u S kT qu S I e i I e 其 中： mV q kT UT 26 称为温度电压当 量。 理论分析表明： S I 称为反向饱和电 流。 UT u S u 0 i I e S u 0 i I 称为正向特性。 称为反向特性
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 四、伏安特性 图1110N结的伏安特性 去学信院一 <■结束D
(1-27) 第1章 常用半导体器件 27 (1-27) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 四、伏安特性 图1.1.10 PN结的伏安特性 动画演示
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 五、二极管的极间电容 FN结存在有电容,此电容由两部分组成:势垒电 容C和扩散电容Co 势垒电容:势垒区是积累空间电荷的区域,当电压变化 时,就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化,这样所 表现出的电容是势垒电容。 扩散电容:为了形成正向电流 扩散电流),注入P区的少子+P N (电子)在P区有浓度差,越靠 近PN结浓度越大,即在P区有电 子的积累。同理,在N区有空穴 的积累。正向电流大,积累的电 荷多。这样所产生的电容就是扩 散电容C D信息学快一 <■结束D
(1-28) 第1章 常用半导体器件 28 (1-28) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 五、 二极管的极间电容 PN结存在有电容，此电容由两部分组成：势垒电 容Cb和扩散电容Cd。 势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化 时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所 表现出的电容是势垒电容。 扩散电容：为了形成正向电流 （扩散电流），注入P 区的少子 （电子）在P 区有浓度差，越靠 近PN结浓度越大，即在P 区有电 子的积累。同理，在N区有空穴 的积累。正向电流大，积累的电 荷多。这样所产生的电容就是扩 散电容CD。 P + N -
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 g在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置 时,由于载流子数目很少,扩散电容可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路: 势垒电容和扩散 电容的综合效应 妾卖学信息学院 <■结束D
(1-29) 第1章 常用半导体器件 29 (1-29) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置 时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散 电容的综合效应 rd
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 1.2半导体二极管 1.2.1半导体二极管的几种常见结构 PN结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。 图1.2.1二极管的几种外形 妾卖学信息学院 <■结束D
(1-30) 第1章 常用半导体器件 30 (1-30) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 1.2 半导体二极管 1.2.1半导体二极管的几种常见结构 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 图1.2.1 二极管的几种外形