第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 2本征半导体的导电机理 本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即 自由电子和空穴 在其它力的作用下, <會 空穴吸引附近的电子 §②s 来填补,这样的结果 心相当于空穴的迁移, 而空穴的迁移相当于 正电荷的移动,因此 雪5 可以认为空穴是载流 子 动画演示 妾卖学信息学院 <■结束D
(1-11) 第1章 常用半导体器件 11 (1-11) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 2.本征半导体的导电机理 +4 +4 +4 +4 在其它力的作用下， 空穴吸引附近的电子 来填补，这样的结果 相当于空穴的迁移， 而空穴的迁移相当于 正电荷的移动，因此 可以认为空穴是载流 子。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即 自由电子和空穴。 动画演示
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 本征半导体中电流由两部分组成: 1.自由电子移动产生的电子电流。 2.空穴移动产生的空穴电流。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度 温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半 导体的导电能力越强,温度是影响半导体性 能的一个重要的外部因素,这是半导体的 大特点。 妾卖学信息学院 <■结束D
(1-12) 第1章 常用半导体器件 12 (1-12) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半 导体的导电能力越强，温度是影响半导体性 能的一个重要的外部因素，这是半导体的一 大特点。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电子电流。 2. 空穴移动产生的空穴电流
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 1.12杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质(元素), 就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是 掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 N型半导体:自由电子浓度大大增加的杂质半导 体,也称为(电子半导体) P型半导体:空穴浓度大大增加的杂质半导体,也 称为(空穴半导体)。 妾卖学信息学院 <■结束D
(1-13) 第1章 常用半导体器件 13 (1-13) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质（元素）， 就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是 掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也 称为（空穴半导体）。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导 体，也称为（电子半导体）
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 N型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷 (或锑),晶体点阵中的某些半导体原子被 杂质取代,磷原子的最外层有五个价电子, 其中四个与相邻的半导体原子形成共价键, 必定多出一个电子,这个电子几乎不受束 缚,很容易被激发而成为自由电子,这样磷 原子就成了不能移动的带正电的离子。每个 磷原子给出一个电子,称为施主原子 妾卖学信息学院 <■结束D
(1-14) 第1章 常用半导体器件 14 (1-14) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 一、N 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷 （或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被 杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子， 其中四个与相邻的半导体原子形成共价键， 必定多出一个电子，这个电子几乎不受束 缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷 原子就成了不能移动的带正电的离子。每个 磷原子给出一个电子，称为施主原子
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 电子 @@/导体中 多余∵多 的载流子是什 冷么? 磷原子 了 1、由施主原子提供的电子,浓度与施主原子相同。 2、本征半导体中因热激发产生的电子和空穴对。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以,自 由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流 子(多子),空穴称为少数载流子(少子)。 娶卖学信息学院 [结束D
(1-15) 第1章 常用半导体器件 15 (1-15) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 N 型半导体中 的载流子是什 么？ 1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2、本征半导体中因热激发产生的电子和空穴对。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自 由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流 子（多子），空穴称为少数载流子（少子）