第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 在硅和锗晶体中,原子按四角形系统组成晶体 点阵,每个原子都处在正四面体的中心,而四个其 它原子位于四面体的顶点,每个原子与其相临的原 子之间形成共价键,共用一对价电子 硅和锗的晶 体结构: 妾卖学信息学院 <■结束D
(1-6) 第1章 常用半导体器件 6 (1-6) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体 点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其 它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原 子之间形成共价键，共用一对价电子。 硅和锗的晶 体结构：
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 硅和锗的共价键结构 冫<冫會 共价键共 +4 +4 用电子对 +4表示除 去价电子 +4 +4 后的原子 妾卖学信息学院 <■结束D
(1-7) 第1章 常用半导体器件 7 (1-7) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 硅和锗的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除 去价电子 后的原子
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 形成共价键后,每个原子的最外层电子是 八个,构成稳定结构 共价键有很强的结合力,使原子规 则排列,形成晶体。 ①x<+身 X 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为 束缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自 由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,所以 本征半导体的导电能力很弱。 姬娶卖学信息学院 <■结束D
(1-8) 第1章 常用半导体器件 8 (1-8) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为 束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自 由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以 本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是 八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规 则排列，形成晶体。 +4 +4 +4 +4
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 、本征半导体的导电机理 1.载流子、自由电子和空穴 在绝对0度(T=0K)和没有外界激发时,价 电子完全被共价键束缚着,本征半导体中没有 可以运动的带电粒子(即载流子),它的导电 能力为0,相当于绝缘体。 在常温下,由于热激发,使一些价电子获 得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电 子,同时共价键上留下一个空位,称为空穴。 妾卖学信息学院 <■结束D
(1-9) 第1章 常用半导体器件 9 (1-9) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 二、本征半导体的导电机理 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价 电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有 可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电 能力为 0，相当于绝缘体。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获 得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电 子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 1.载流子、自由电子和空穴
第1章常用半导体器件 模拟电子技术基础 ><冫<,八 空穴 +4 +4 自由电子 (+4) +4 束缚电子 妾卖学信息学院 <■结束D
(1-10) 第1章 常用半导体器件 10 (1-10) 结束 模拟电子技术基础 信息学院 +4 +4 +4 +4 空穴 自由电子 束缚电子