TH HD 第2章双极型晶体管及其放大申路 为了反映扩散到集电区的电流N与基区复合电流 BN之间的比例关系,定义共发射极直流电流放大系数 β为 B=IoNc-lo CBO + (2-2) BM B CBO 其含义是:基区每复合一个电子,则有B 个电子扩散到集电区去。B值一般在20~200 之间。 g≈lEN=/BN+lCw n=ly-I B Bw CBO M+l CN CBO
第2章 双极型晶体管及其放大电路 为了反映扩散到集电区的电流ICN与基区复合电流 IBN之间的比例关系，定义共发射极直流电流放大系数 为 B CBO C CBO BN CN I I I I I I + − = = (2―2) 其含义是：基区每复合一个电子，则有 个电子扩散到集电区去。 值一般在20~200 之间。 C CN CBO B BN CBO E EN BN CN I I I I I I I I I I = + = − = + (2―1)
HIT 第2章双极型晶体管及其放大申路 1g≈lEN=lBN+lc(2-1 BM BO 确定了B值之后,由式(2-1)、(2-2)可得 I C=BlB+(1+B)lcBo=BlB+IcEo(2-3) CBO (2-2) +l IE=(1+B)IB+(+B)1cB0=(1+B)IB+Iceo B 式中: CEO =(1+B)l CBO (2-4) 称为穿透电流。因lBo很小,在忽略其影响时,则有 B1 (2-5a) g≈(1+B)/B (2-5b) 式(2—5)是今后电路分析中常用的关系式
第2章 双极型晶体管及其放大电路 确定了 值之后，由式(2―1)、(2―2)可得 B E C E B CBO B CEO C B CBO B CEO I I I I I I I I I I I I I = − = + + + = + + = + + = + (1 ) (1 ) (1 ) (1 ) (2―3) 式中： CEO CBO I = (1+ )I (2―4) 称为穿透电流。因ICBO很小，在忽略其影响时，则有 E B C B I I I I (1 ) + (2―5a) (2―5b) 式(2―5)是今后电路分析中常用的关系式。 B CBO C CBO BN CN I I I I I I + − = = C CN CBO B BN CBO E EN BN CN I I I I I I I I I I = + = − = + (2―1) (2―2)
TH HD 第2章双极型晶体管及其放大申路 为了反映扩散到集电区的电流l与射极注入电流 N的比例关系,定义共基极直流电流放大系数a为 &=CN l CBO 2-6) EN E 显然,a<1,一般约为097~099。 由式(2-6)、(2-3),不难求得 C=alg+ I≈alE (2-7a) (-alE CBO ≈(1-a)l E (2—7c)
第2章 双极型晶体管及其放大电路 为了反映扩散到集电区的电流ICN与射极注入电流 IEN的比例关系，定义共基极直流电流放大系数 为 E C CBO EN CN I I I I I − = = (2―6) 显然， <1，一般约为0.97~0.99。 由式(2―6)、 (2―3) ，不难求得 E C B B E CBO E C E CBO E I I I I I I I I I I I = + = − − − = + (1 ) (1 ) (2―7a) (2―7c) (2―7b)