母材料科平与技末 4.5硅片腐蚀和抛光T艺的化学原理………………”… 86 4.5硅的化学腐蚀的原理……………… 4.5.2影响硅的化学腐蚀的因素… 4.5.3硅片表约化学机械德光的原理 4.5链片表面的清洗及其婷理 4.6.1片表面清线的重要性… 42硅片表面可能沾污的杂质… 化学清洗的 1.54去离子水在清洗中的作用 1乐5超声在清洗中的作用…………*… 26 1.5.6真空高处理的清洗作用 45.7硅片清洗所用的化学清洗倒和清洗L艺的篡理 4.7去离子水的制备 4.7.1离子交炭树斷 4.7,2 离f交原理 即mmm 1.3去离子水的制备工艺 4.7.4反透法制备纯水 参考文螈 第五章硅和硅基薄膜的外延生长…………… 5.1概述“… 80 1.1硅外延技术发展历吏…… 5.1.2外延技术在器件工艺中的应用 5.2硅的气相外延生长 5.21气相外廷的生长机理 522常规CVD外廷技术 5.3硅的分子束外廷…………… .3.1发展历史 5.3.2分子束外延设备………… 5.3.3硅然分子束外廷生长机莲………m……… 5.3.4外延温度………… 5.4硅的液桕外恁“ t.1硅液相外廷的基本原 啪粥肥训那 5.4.2硅液相外廷中溶的择 5.4.3姓液相外廷生长系统 1.:硅液桁外廷的优缺点 32 5,4.5硅液相外延层的些性质… 6硅液相外廷的用和羰望 5.5硅的周相外延……… 5.1无分质输运情况 5.5.2介质验运生长
目秉 5.5.3SPE汰的用… 5.5于硅相关的异质外延技本…… 6.1异质外延中的普塞性问题… 57硅片的直接键合 5.7.1片的直接键合1艺… 7.2硅片的直接键合机焊“… 573影响片的直接键合工艺的因素 5.7.4硅片的直接键合界源的特性…… 75崭片接键合工艺的检技 …352 5.8 Seari-tut艺 5.9金围石上牛长硅SOD 参考文粽 第六章硅材料的测试与分析 6,1娃材料的电学性能测量 6.1.1导电裂号……… 6.1.2电阻率 1.3少了寄自 6.1.4霍尔尾 6.1.5迁移率… 6.⊥.6深能缓瞬态浒……… 乐2硅材料物理化学性能的分析方话………31 6.2.1X射线分析… 6.22电了束分析…… 38 6.3克谓分析 62.4能谱分析 625其他分析方法 6.3硅单品结构特性的检衡 39 6.3.1最向的涛定 392 表面机械损伤和硅单品中院变的测域 5.3.3单品中品格缺腐的癬… 393 3.4要的测量 参考文帐… 菊七章硅中的缺陷 鞋中缺的特点… …42 7L.1硅屮的点缺陷…,… 71.3鞋屮的维层锖和不全位错 +*:424 7.2原生长缺陷
哇材料科学与技木 7.2,1位 7.3T艺诱生缺陷“… 3.1热吃力诱生的滑移位移 3.2扩散诱生位 3.3氣化诱生垛层错 7.3.4表百缺陷 3.5氧沉綻及其他体缺阶 7.4缺陷工程 2非本让吸杂 7.3本饪鬟杂 7.4.!非本征吸杂对本征吸杂的影响……………… 1.5透射电子副泼镜技术在守中妹究斤酊的应用……… 51电昱镜的荔本知识 75.2关于硅片热处理后产生的层错的透封电镜研究 低5mm2m 5.3关十品体中潋谒缺的本质的透射电镜阴究……………,… 75.4原生CZ品体中的红外散射缺陷”研究 55微砝单品中的氧沉淀形态 75.6高空(VD极低温低压外廷与高分频TEM分析研究……………m…83 参考文棘……… 第八章硅中的杂质 81中的 81.母中氢的基本竹质 8.1.2中宝的测量… 8.1.3施主……… 8L.4氧沉淀… 81.5内吸杂 8.2中约碳 8.2.中袋的幕本性质 8.2.2中碳的测量 4 508 8.2.3中表和的作用… 8.2中装和微法陷及其来质的相生作川………………310 8.3硅中的氮……… 8.3.中的基本性质…………… 8.3.2中的测性…………………… 8.3.3砝中氮的掺杂 8.3.氮对驻材料性能的影响……………… 8.3,氮的热理性赁 8.3.6氮和的相互作用
日景 8.3.7氮和保的相互作用 521 8A硅中的氢…,…,,, 84.1硅中氢的基本性质…………………… 8.4.2硅中氢的测量…,…m…m… 8.4.3区硅单品中的氢…… 8.4.4氯和氧的相互作用… 8..5氢和傲缺陷及其他杂质的相互作用 3.5硅中的过護金漏 8.5.1台闻杂质对材料和器件性能的影响 8.5.2硅中金画的污途径和挖制 8.5.3盒圆杂质的测量 85.4含圆杂质的基本性质… 8..5硅中金复合体与沉淀 8.5.6金吸杂 538 参考文……………………… 判录非平衡态热力学的基知识
第一章硅的基本性质 国元素周開表第三期Nx族,原了序数14,原子量28.185.硅了的电子排布为 s22s2yF,原子价主要为4价,其次为2价,因面硅的化合物有二价化合物和四化合物四纷 化合物比较稳定地球上硅的丰度为25.8%硅在自然界的同代素及其所占夠比例分别为:3S为 23%,S为4.67%,s为310%硅嶄体中原子以共价键结合,并具有正因血体晶体学特征 在压下,砖品体共有金石结构格常数a=0.5{30m,压至15(P,则变为面心立方型 a=.6636nm 时是重要的元素半导体是电子工业的基甜材料它的许多重要的物理化学性质,如表1.1 表1.1硅的轴化学性质(30ky 7 密夏分子密度 OSX 140- 合刚 找导车同液) 180(3)484熔 硬度(氏/务氏 Ca I 15.7M X to 去) 诉射 体和系数 本中x十分F,奥子要,度的年位军为mm: