在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，故I基本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。但IR与温度有关。结论：PN结外加反向电压截止。3）总结PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通：PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。3、PN结的伏安特性曲线及表达式根据理论分析：i=I(e-1式中，u为PN结两端的电压降，i为流过PN结的电流，Is为反向饱和电流：Ur=kT/q称为温度的电压当量，其中k为玻耳兹曼常数1.38×10-23，9为电子电荷量1.6×10-9，T为热力学温度。对于室温（相当T=300K），则有Uh=26mV。当 10, 1>U时,%>1’ =1,e%r;当<0,[>>Ur时，e%<<1'-ls。则PN结的伏安特性曲线如下图所示：（多子扩散）反向饱和电流正偏反向击穿电压IsJUBRu反偏反向击穿IR（少子漂移）4、PN结的电容效应
在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，故 IR 基本上与外加反压的 大小无关，所以称为反向饱和电流。但 IR与温度有关。 结论：PN 结外加反向电压截止。 3）总结 PN 结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN 结导通； PN 结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN 结截止。 由此可以得出结论：PN 结具有单向导电性。 3、PN 结的伏安特性曲线及表达式 根据理论分析： (e 1) T S U u i I 式中，u 为 PN 结两端的电压降，i 为流过 PN 结的电流，IS为反向饱和电流；UT =kT/q， 称为温度的电压当量，其中 k 为玻耳兹曼常数 1.38×10－23，q 为电子电荷量 1.6×10－9，T 为热力学温度。 对于室温（相当 T=300 K），则有 UT=26 mV。 当 u>0，u>>UT时，e 1 T U u ， T eS U u i I ； 当 u<0，|u|>>|UT |时，e 1 T U u ， S i I 。 则 PN 结的伏安特性曲线如下图所示： 4、PN 结的电容效应
1）势垒电容CB当外加电压发生变化时，耗尽层的宽度要相应地随之改变，即PN结中存储的电荷量要随之变化，就像电容充放电一样。P空间电荷区+REw2）扩散电容CD当外加正向电压不同时，PN结两侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相当电容的充放电过程。N区P区耗尽层8..0C:00+ OO0000000N区中空穴P区中电子浓度分布浓度分布XLnIp极间电容（结电容）：Cj=CB+CD电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来
1）势垒电容 CB 当外加电压发生变化时，耗尽层的宽度要相应地随之改变，即 PN 结中存储的电荷量 要随之变化，就像电容充放电一样。 空间电荷区 － － W － + + － － － + R + E + + P N 2）扩散电容 CD 当外加正向电压不同时，PN 结两侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相当 电容的充放电过程。 + － P N Lp x 浓度分布 P 耗尽层 N 区 区中电子 区中空穴 区 浓度分布 Ln 极间电容（结电容）：CJ = CB + CD 电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来
s1.2半导体二极管导入：上节课我们学习了PN结的形成过程及单向导电性。其伏安特性曲线去下所示：7UBRu如果给PN结加上外壳，引出两根线，就可以构成我们今天要学习的二极管。一、二极管的结构和符号结构：二极管=PN结+管壳+引线P符号：+阴极阳极二、二极管的分类二极管的类型很多，按制造二极管的材料分，有硅二极管和锗二极管：从管子的结构来分，有以下几种类型：①点接触型二极管：②面接触型二极管：③平面型二极管
§1.2 半导体二极管 导入： 上节课我们学习了 PN 结的形成过程及单向导电性。其伏安特性曲线去下所示： 如果给 PN 结加上外壳，引出两根线，就可以构成我们今天要学习的二极管。 一、二极管的结构和符号 结构：二极管 = PN 结 + 管壳 + 引线 符号： 二、二极管的分类 二极管的类型很多, 按制造二极管的材料分, 有硅二极管和锗二极管；从管子的结 构来分, 有以下几种类型：①点接触型二极管；②面接触型二极管；③平面型二极管
阳极引线金属触丝N型锗片二氧化硅保护层阳极引线阴极引线P型硅N型硅外壳(a)点接触型阴极引线(c)平面型铝合金小球阳极引线PN结N型硅金锑合金阳极阴极底座阴极引线(b)面接触型(d)符号1）点接触型二极管PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。2）面接触型二极管PN结面积大，用于工频大电流整流电路。3）平面型二极管用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。思政元素总结：事物是利整相生，我们应善于发现和利用有利方面而抑制有害方向的方法论。国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：2AP9第一位：2代表二极管，3代表三极管：第二位：代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge，C为N型Si，D为P型Si;第三位：代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管
1）点接触型二极管 PN 结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 2）面接触型二极管 PN 结面积大，用于工频大电流整流电路。 3）平面型二极管用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和 开关电路中。 思政元素总结：事物是利弊相生，我们应善于发现和利用有利方面而抑制有害方向 的方法论。 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2AP9 第一位：2 代表二极管，3 代表三极管； 第二位：代表器件的材料，A 为 N 型 Ge，B 为 P 型 Ge， C 为 N 型 Si， D 为 P 型 Si； 第三位：代表器件的类型，P 为普通管，Z 为整流管，K 为开关管