第6章MOS模拟集成电路基础 6.1MOS模拟集成基本单元电路 6.11MOS电流源 +V 1.镜像电流源 W2/L2)(1+vn2) (W1/L1)(1+vbst) 3 AE vps=vps W2/L2-=W,/LI 的情况下: Tz GS .图611MoS镜像电流源
第 6 章 MOS模拟集成电路基础 6.1 MOS模拟集成基本单元电路 6.1.1 MOS电流源 1. 镜像电流源 ( / )(1 ) ( / )(1 ) 1 1 1 2 2 2 DS DS o W L v W L v I + + = 在 vDS1 ＝vDS2 W2 /L2=W1 /L1 的情况下： IO ＝IR
考虑vDs的差异,修正为: 1。=lR+ VOIR 输出电阻为:7=7s2
考虑 vDS的差异，修正为： R A DS o R I V v I = I + 输出电阻为： o ds2 r = r
2.比例电流源 2=2/L2 W1/L1 R o+V W/L 02 WL W T Tt T 图61.2MOS比例电流源
2. 比例电流源 o R I W L W L I 1 1 2 2 2 / / = o R I W L W L I 1 1 3 3 3 / / =
3.威尔逊电流源 R ≈ m'ds3) ds1 图61.3威尔逊电流源
3. 威尔逊电流源 o R I I 3 1 ( ) o m ds ds r g r r
4.改进型威尔逊电流源 +V 在开启电压Ⅴ:较大时, T2的VDs2大于T3的VDs=Vos ,会导致T2和T3的电流失配, 因此增加T4,如右图 TI TL 图615改进型威尔逊电流派 61.6(b)6.17(b)和6.1.8(b)
4. 改进型威尔逊电流源 在开启电压VGS(th)较大时， T2的VDS2大于T3的VDS3 ＝VGS3 ，会导致T2和T3的电流失配， 因此增加T4，如右图