■4、伏安特性: 在一定的光照下,光电流与所加电压的关系 (m4) 1000Lx 100Lx lOLa E=0 y() 定的光照下,1与电压的关系; 相同的电压下,与光照的关系
◼ 4、伏安特性： ◼ 在一定的光照下，光电流 与所加电压 的关系 ◼ ◼ 一定的光照下， 与 电压 的关系; 相同的电压下， 与光照 的关系 I 光 U 50 100 5 10 V(V) E = 0 10Lx 100Lx 1000Lx I(mA) 0 I 光 U I 光 E
说明: (1)光敏电阻为纯电阻,符合欧姆定律,对 多数半导体,当电场强度超过厘米 (强光时),不遵守欧姆定律。硫化镉例 外,其伏安特性在100多伏就不成线性了
◼ 说明： ◼ （1) 光敏电阻为纯电阻，符合欧姆定律，对 多数 半导体，当 电场强度超过 （强光时），不遵守欧姆 定律。硫化镉例 外，其伏安特性在100多伏就不成线性了。 厘米 104 伏
(2)光照使光敏电阻发热,使得在额定 功耗内工作,其最高使用电压由其耗散 功率所决定,而功耗功率又和其面积大 小、散热情况有关 (3)伏安特性曲线和负载线的交点即为 光敏电阻的工作点
◼ （2）光照使光敏电阻发热，使得在额定 功耗内工作，其最高使用电压由其耗散 功率所决定，而功耗功率又和其面积大 小、散热情况有关。 ◼ （3）伏安特性曲线和负载线的交点即为 光敏电阻的工作点
■5、温度特性: ■温度的变化,引起温度噪声,导致其灵敏度 光照特性、响应率等都发生变化。为了提高灵 敏度,必须采用冷却装置,尤其是杂质型半导 体受温度影响更明显。 200 150 100 5( 20406080100
◼ 5、温度特性： ◼ 温度的变化，引起温度噪声，导致其灵敏度、 光照特性、响应率等都发生变化。为了提高灵 敏度，必须采用冷却装置，尤其是杂质型半导 体受温度影响更明显。 20 40 60 80 100 T 50 100 150 2000 I
■6.前历效应 指光敏电阻的时间特性与工作前“历史”有关的 种现象。即测试前光敏电阻所处状态对光敏电阻特性 的影响。 暗态前历效应:指光敏电阻测试或工作前处于暗态, 当它突然受到光照后光电流上升的越慢程度。一般, 工作电压越低,光照度越低,则暗态前历效应就越重 08 1-黑暗放置3分钟后 0 2-黑暗放置60分钟后 0.4 3-黑暗放置24小时后 时间/s
◼ 6．前历效应 ◼ 指光敏电阻的时间特性与工作前“历史”有关的一 种现象。即测试前光敏电阻所处状态对光敏电阻特性 的影响。 ◼ 暗态前历效应：指光敏电阻测试或工作前处于暗态， 当它突然受到光照后光电流上升的越慢程度。一般， 工作电压越低，光照度越低，则暗态前历效应就越重。 1-黑暗放置3分钟后 2-黑暗放置60分钟后 3-黑暗放置24小时后