性。3、学会用示波器法测绘磁化曲线和磁滞回线，并确定矫顽力、剩余磁感应强度、饱和磁感应强度等磁化参数。4、测定样品的基本磁化曲线，描绘μ-H曲线。基本原理：B-SUN,S实验内容：手动和自动两种方式测材料的磁滞回线并计算剩磁和矫顽力重点、难点：磁滞回线的测绘主要仪器：DH4516磁滞回线实验仪、DH4516A（智能型）磁滞回线测试仪，双踪示波器实验干二PN结正向压降和温度关系的研究和应用目的、任务及要求：1、了解PN结正向压降随温度变化的性质。2、在恒定正向电流条件下，测绘PN结正向压降随温度变化曲线，并由此确定其灵敏度及PN结材料的禁带宽度。3、学习用PN结测量温度的方法。k.C--"-V+V,-V-mV=V.基本原理：g(0)q<(T-T)r+myq"Tiq实验内容：1、测定△V-T曲线2、估算被测PN结材料的禁带宽度重点、难点：1、温度的控制2、△V的测定主要仪器：DH-PN-1型PN结正向压降温度特性实验仪实验十三二极管伏安特性曲线的研究目的、任务及要求：通过对二极管伏安特性的测试，掌握锗二极管和硅二极管的非线性特点，从而为以后正确设计使用这些器件打下技术基础。基本原理：对二极管施加正向偏置电压时，则二极管中就有正向电流通过（多数载流子导5
5 性。 3、学会用示波器法测绘磁化曲线和磁滞回线，并确定矫顽力、剩余磁 感应强度、饱和磁感应强度等磁化参数。 4、测定样品的基本磁化曲线，描绘 -H 曲线。 基本原理： 2 2 2 B C R B= U N S 实验内容：手动和自动两种方式测材料的磁滞回线并计算剩磁和矫顽力 重点、难点：磁滞回线的测绘 主要仪器: DH4516 磁滞回线实验仪、DH4516A（智能型）磁滞回线测试仪，双踪示波器 实验十二 PN 结正向压降和温度关系的研究和应用 目的、任务及要求：1、了解 PN 结正向压降随温度变化的性质。 2、在恒定正向电流条件下，测绘 PN 结正向压降随温度变化曲线，并由 此确定其灵敏度及 PN 结材料的禁带宽度。 3、 学习用 PN 结测量温度的方法。 基本原理： (0) 1 1 F g n ( ln ) ln F k C kT r V V T T V V q I q = − − = + = − V V 理想 F1 = 1 1 ( ) ln( ) k kT T r T T r q q T − − + 实验内容：1、测定 − V T 曲线 2、估算被测 PN 结材料的禁带宽度 重点、难点：1、温度的控制 2、 V 的测定 主要仪器: DH-PN-1 型 PN 结正向压降温度特性实验仪 实验十三 二极管伏安特性曲线的研究 目的、任务及要求： 通过对二极管伏安特性的测试，掌握锗二极管和硅二极管的非线性特点，从 而为以后正确设计使用这些器件打下技术基础。 基本原理： 对二极管施加正向偏置电压时，则二极管中就有正向电流通过(多数载流子导
电），随着正向偏置电压的增加，开始时，电流随电压变化很缓慢，而当正向偏置电压增至接近二极管导通电压时（锗管为0.2V左右，硅管为0.7V左右），电流急剧增加，二极管导通后，电压的少许变化，电流的变化都很大。对上述二种器件施加反向偏置电压时，二极管处于截止状态，其反向电压增加至该二极管的击穿电压时，电流猛增，二极管被击穿，在二极管使用中应竭力避免出现击穿观察，这很容易造成二极管的永久性损坏。所以在做二极管反向特性时，应串入限流电阻，以防因反向电流过大而损坏二极管。实验内容：1、二极管反向特性测试2、二极管正向特性测试重点、难点：二极管反向特性测试主要仪器：DH-SJ1设计性实验装置实验十四电路元件伏安特性的测绘实验目的、任务及要求：1、学习测量线性和非线性电阻元件伏安特性的方法，并绘制其特性曲线2、掌握运用伏安法判定电阻元件类型的方法3、学习使用直流电压表、电流表，掌握电压、电流的测量方法基本原理：二端电阻元件的伏安特性是指元件的端电压与通过该元件电流之间的函数关系。通过一定的测量电路，用电压表、电流表可测定电阻元件的伏安特性，由测得的伏安特性可了解该元件的性质。通过测量得到元件伏安特性的方法称为伏安测量法（简称伏安法）。把电阻元件上的电压取为纵（或横）坐标，电流取为横（或纵）坐标，根据测量所得数据，画出电压和电流的关系曲线，称为该电阻元件的伏安特性曲线。实验内容1、线性电阻元件的伏安特性曲线测绘。2、非线性电阻元件（钨灯丝）的伏安特性曲线测绘。重点、难点：非线性电阻元件的伏安特性曲线测绘中电压的控制。主要仪器：DH-SJ1设计性实验装置实验十五电源外特性的测量实验6
6 电)，随着正向偏置电压的增加，开始时，电流随电压变化很缓慢，而当正向偏置 电压增至接近二极管导通电压时(锗管为 0.2V 左右，硅管为 0.7V 左右)，电流急 剧增加，二极管导通后，电压的少许变化，电流的变化都很大。 对上述二种器件施加反向偏置电压时，二极管处于截止状态，其反向电压增 加至该二极管的击穿电压时，电流猛增，二极管被击穿，在二极管使用中应竭力避 免出现击穿观察，这很容易造成二极管的永久性损坏。所以在做二极管反向特性 时，应串入限流电阻，以防因反向电流过大而损坏二极管。 实验内容： 1、二极管反向特性测试 2、二极管正向特性测试 重点、难点： 二极管反向特性测试 主要仪器: DH-SJ1 设计性实验装置 实验十四 电路元件伏安特性的测绘实验 目的、任务及要求： 1、学习测量线性和非线性电阻元件伏安特性的方法，并绘制其特性曲线 2、掌握运用伏安法判定电阻元件类型的方法 3、学习使用直流电压表、电流表，掌握电压、电流的测量方法 基本原理： 二端电阻元件的伏安特性是指元件的端电压与通过该元件电流之间的函数关系。 通过一定的测量电路，用电压表、电流表可测定电阻元件的伏安特性，由测得的伏安 特性可了解该元件的性质。通过测量得到元件伏安特性的方法称为伏安测量法(简称伏 安法)。把电阻元件上的电压取为纵(或横)坐标，电流取为横(或纵)坐标，根据测量所 得数据，画出电压和电流的关系曲线，称为该电阻元件的伏安特性曲线。 实验内容 1、 线性电阻元件的伏安特性曲线测绘。 2、非线性电阻元件（钨灯丝）的伏安特性曲线测绘。 重点、难点： 非线性电阻元件的伏安特性曲线测绘中电压的控制。 主要仪器: DH-SJ1 设计性实验装置 实验十五 电源外特性的测量实验