电子披术 dianzi 二极管的结构示意图 阳极引线 二氧化硅保护层 金属触丝N型锗片 影 阳极引线 阴极引线 P型硅 N硅 外壳 (a)点接触型 阴极引线 铝合金小球n阳极引线 (c)平面型 N型硅 PN结 金锑合金 一底座 阳极 阴极 阴极引线 (d)符号 (b)面接触型 图1-12半导体二极管的结构和符号 章目录上一页下一页返回退出
章目录 上一页 下一页 返回 退出 阴极引线 阳极引线 二氧化硅保护层 P型硅 N型硅 (c ) 平面型 金属触丝 阳极引线 N型锗片 阴极引线 外壳 (a) 点接触型 铝合金小球 N型硅 阳极引线 PN结 金锑合金 底座 阴极引线 (b) 面接触型 图 1 – 12 半导体二极管的结构和符号 二极管的结构示意图 阳极 阴极 (d) 符号 D
电子披术 14.32伏安特性 dianzi 正向特性 特点:非线性 反向击穿 电压UBR 硅060.8V 导通压降」锗02~03V U 反向电流 在一定电压(PN土N(死区电压锗管0y 硅管0.5V 范围内保持 常数。 反向特性 外加电压大于死区 外加电压大于反向击 电压二极管才能导通。 穿电压二极管被击穿, 失去单向导电性。 章目录上一页下一页返回退出
章目录 上一页 下一页 返回 退出 14.3.2 伏安特性 硅管0.5V 锗管0.1V 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区 外加电压大于反向击 电压二极管才能导通。 穿电压二极管被击穿， 失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.6~0.8V 锗0.2~0.3V U I 死区电压 P + N – P N + – 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数
电子披术 dian 14.33主要参数 1.最大整流电流loM 极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向 平均电流。 2.反向工作峰值电压UgwM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压, 般是二极管反向击穿电压Up的一半或三分之二。 二极管击穿后单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。 3.反向峰值电流M 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反 向电流大,说明管子的单向导电性差,IRM受温度的 影响,温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小, 锗管的反向电流较大,为硅管的几十到几百倍。 章目录上一页下一页返回退出
章目录 上一页 下一页 返回 退出 14.3.3 主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向 平均电流。 2. 反向工作峰值电压URWM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压， 一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。 二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3. 反向峰值电流IRM 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反 向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的 影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小， 锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍