高纯锗探测器 普通锗:杂质浓度为~1015原子cm3; 高纯锗:杂质浓度为~101子/cm3 采用高纯度的P型Ge单晶,一端表面通过蒸发 扩散或加速器离子注入施主杂质(如磷或锂)形成N 区,探测器的耗尽层通过在N-P结上加反压形成 另一端蒸金属或注入硼离子形成P,并作为入射窗 两端表面蒸金属作成欧姆接触,并引出电极。(表 示高掺杂区)
高纯锗探测器 • 普通锗：杂质浓度为~1015原子/cm3 ； • 高纯锗：杂质浓度为~1010原子/ cm3 。 采用高纯度的P型Ge单晶，一端表面通过蒸发 扩散或加速器离子注入施主杂质(如磷或锂)形成 N+ 区，探测器的耗尽层通过在N+－P结上加反压形成。 另一端蒸金属或注入硼离子形成 P + ，并作为入射窗。 两端表面蒸金属作成欧姆接触，并引出电极。( +表 示高掺杂区)
平面型HPGe探测器 LI DiFfused N" Contact (-0.7 mm thick 16 mm m灵敏区厚度:5~10mm a: E<220 Me v 10 mm p:Ep≤60MeV y、X:300~600keV 125mm lon-Implanted Contact (0. 3 um thick) 特点: 与金硅面垒探测器无本质区别,但需注意: 般工作在全耗尽区 液氮温度下工作,锗的禁带宽度小(0.66eV)
特点： 与金硅面垒探测器无本质区别，但需注意： •一般工作在全耗尽区 •液氮温度下工作，锗的禁带宽度小（0.66eV） 灵敏区厚度：5~10 mm ：E 220 MeV p：Ep 60 MeV 、X：300 ~ 600 keV 平面型HPGe探测器
平面型HPGe探测器的电场 重点 To positive bias voltage resistance PN结型 电位 电场 结区在N+一P之间产生 随电压升高变厚,最终 将工作于全耗尽状态 电场随距离在变
平面型HPGe探测器的电场 + 电位 电场 PN结型 结区在N＋－P之间产生， 随电压升高变厚，最终 将工作于全耗尽状态。 电场随距离在变。 重点
同轴型HPGe探测器 灵敏区体积大,~400cm3 r: <lOMev 双端同轴 单端同轴 双端同轴型表面漏电流较大,增加噪声。 单端同轴型电场径向一致性较差,通过磨园、加 长内芯电极加以改善
双端同轴型表面漏电流较大，增加噪声。 单端同轴型电场径向一致性较差，通过磨园、加 长内芯电极加以改善。 双端同轴 单端同轴 灵敏区体积大，~ 400cm3 。 ：<10MeV 同轴型HPGe探测器