金硅面垒半导体探测器 属于PN结型探测器,结是在N型半导体和金之间形成 的,又称为面垒型探测器 N型硅 欧姆接触 聚四氟乙烯垫片金层硅片 A公铜壳 N么 D 镍或铝层NN聚四氟乙烯环 金层 铜帽 耗尽层 面垒探测器示意图 金娃面垒半导体探测器原理结构图 摘自《核辐射探测器及其实验技术手册(第二版)》汲长松编著
属于PN结型探测器，结是在N型半导体和金之间形成 的，又称为面垒型探测器 金硅面垒半导体探测器 摘自《核辐射探测器及其实验技术手册（第二版）》 汲长松编著
金硅面垒探测器的特点和用途 特点:入射窗薄(金层,40μg/cm2,约200A厚), 但光敏,耐高温特性不好,且灵敏区厚度不大, 在1mm以下 ·用于重带电粒子的能谱测量 用作定时探测器(全耗尽探测器)
特点：入射窗薄（金层， 40μg/cm2 ， 约200Å厚）， 但光敏，耐高温特性不好，且灵敏区厚度不大， 在1mm以下 • 用于重带电粒子的能谱测量 • 用作定时探测器（全耗尽探测器） 金硅面垒探测器的特点和用途
半导体物理基础 金硅面垒半导体探测器 高纯锗探测器 锂漂移硅探测器
• 半导体物理基础 • 金硅面垒半导体探测器 • 高纯锗探测器 • 锂漂移硅探测器
金硅面垒等PN结探测器耗尽层太薄(1mm以 下),可以探测重带电粒子,却不利于探测β和y 因此,必须想办法增加耗尽层的厚度
金硅面垒等PN结探测器耗尽层太薄（1mm以 下），可以探测重带电粒子，却不利于探测和。 因此，必须想办法增加耗尽层的厚度
28 e PN结探测器 增加反向电压 为了增大灵敏区厚度 降低净杂质浓度 纯化工艺一高纯探测器 补偿效应一PIN型探测器
为了增大灵敏区厚度 增加反向电压 降低净杂质浓度 纯化工艺—高纯探测器 补偿效应 —PIN型探测器 PN结探测器 1/ 2 d B n 2 eN εV d