二、P型半导体 在硅或猪晶体(本征半导体)中掺入少量的 三价元素,如硼(或铟),晶体点阵中的某些半 导体原子被杂质原子取代。硼原子的最外层有三 个价电子,与相邻的 半导体原子形成共价键时, 空穴 产生一个空穴。这个空穴 <會￥ 可能吸引束缚电子來填补, 使得硼原子成为不能移动 的带负电的离子。 硼原子 飞 P型半导体中空穴是多子,电子是少子
二、P 型半导体 在硅或锗晶体（本征半导体）中掺入少量的 三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半 导体原子被杂质原子取代。硼原子的最外层有三 个价电子，与相邻的 半导体原子形成共价键时， 产生一个空穴。这个空穴 可能吸引束缚电子来填补， 使得硼原子成为不能移动 的带负电的离子。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子
杂质半导体的示意图 ((4 3 ((④ P型半导体 N型半导体
三、杂质半导体的示意图 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体
结 本征半导体中受激(热激发即本征激发)产 生的电子和空穴成对出现,数量很少。 2.N烈半导体:电子是多子,其中大部分是掺杂提供 的电子;空穴是少子,少子的迁移也能形成电流, 由于数量的关系,起导电作用的主要是多子。近 似认为多子与杂质浓度相葶。 3.P型半导体中空穴是多子,电子是少子。 4.杂质半导体:多子数(多子浓度)主要由掺杂浓 度决定,受温度影响较小;而少子(少子浓度)主 要由本征激发决定,所以受温度影响较大
小 结 2.N型半导体：电子是多子，其中大部分是掺杂提供 的电子；空穴是少子，少子的迁移也能形成电流， 由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近 似认为多子与杂质浓度相等。 3.P型半导体中空穴是多子，电子是少子。 1. 本征半导体中受激（热激发即本征激发）产 生的电子和空穴成对出现，数量很少。 4.杂质半导体：多子数（多子浓度）主要由掺杂浓 度决定，受温度影响较小；而少子（少子浓度）主 要由本征激发决定，所以受温度影响较大
1-1-3PN结的形成 在同一片半号体基片上。分别制造 P型半导体和N型半导体。经过流 子的扩散。在它们的交界面处就形成 了PN结
1-1-3 PN 结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造 P 型半导体和N 型半导体，经过载流 子的扩散，在它们的交界面处就形成 了PN 结
内电场越强虽,漂移运动 越强 漂移运动 内电场E P型半②中④N型半 导体 导体 空间电荷区 扩散的结果是使空间电荷区 也称耗尽层 扩散运动逐渐加宽
P 型半 导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N 型半 导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 漂移运动 扩散的结果是使空间电荷区 逐渐加宽。 内电场越强，漂移运动 越强。 空间电荷区， 也称耗尽层。 内电场E