2.本祈半忌体的导电机理 本征半导体中两种敢流子的教量相等。称自由 电子空穴对。 在外界因素的作用下, 空穴吸引附近的电子 来填补,结果相当子 g是空穴的迁移,效鼎相 当于正电荷的移动, 因此可以认为空穴是 载流子,能定向移动 而形成电流
2.本征半导体的导电机理 +4 +4 +4 +4 在外界因素的作用下， 空穴吸引附近的电子 来填补，结果相当于 空穴的迁移，效果相 当于正电荷的移动， 因此可以认为空穴是 载流子，能定向移动 而形成电流。 本征半导体中两种载流子的数量相等，称自由 电子空穴对
本征半导体中电流由两部分组成: (1)自由电子移动产生的电流。 (2)空穴移动产生的电流。 本征半导体的号电能力取决于载流子的浓度。 温度越髙,敢流孑的浓度越髙。因此本征半 忌体的导电能力越强。温度是影响半导体性 能的一个量要的外部因素。这是半导体的 大特点 半导体的热敏性。 (在本征半导体中自由电子和空穴成对出现, 同时又不断的复合)
温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半 导体的导电能力越强，温度是影响半导体性 能的一个重要的外部因素，这是半导体的一 大特点------半导体的热敏性。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 本征半导体中电流由两部分组成： （1）自由电子移动产生的电流。 （2）空穴移动产生的电流。 （在本征半导体中 自由电子和空穴成对出现， 同时又不断的复合）
1-1-2杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的条质原子, 形成条质半导体。杂质半导体的导电性能将发生 显著变化。其原因是掺条半导体的棊种就流子 度大大增加。 N型半导体:自由电子浓度大大增加的杂质半导体, 也称为电子型半导体。 P半导体:穴浓度大大增加的条质半导体,也 称为空穴型半导体
1-1-2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质原子， 形成杂质半导体。杂质半导体的导电性能将发生 显著变化，其原因是掺杂半导体的某种载流子浓 度大大增加。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也 称为空穴型半导体。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体， 也称为电子型半导体
N型半导体 在硅或猪晶体(本征半导体)中掺入少 量的五价元素。如磷。晶体中的某些半导体 原子被杂质原子取代。由于磷原子的最外层 有五个价电子,其中四个与相邻的半导体原 子彩成共价键。必定多出一个电子,这个电 子不受共价键的束缚。很容易被激发而成为 自由电子,这样磷原子就成了不能移动的带 正电的高子;本征半导体电子和空灾成对出 现的现象也被打破
一、N 型半导体 在硅或锗晶体（本征半导体）中掺入少 量的五价元素，如磷，晶体中的某些半导体 原子被杂质原子取代。由于磷原子的最外层 有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原 子形成共价键，必定多出一个电子，这个电 子不受共价键的束缚，很容易被激发而成为 自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带 正电的离子；本征半导体电子和空穴成对出 现的现象也被打破
多余 >⑩D 电子 N型半导体中 y以 的敢流子有哪 些呢? 弹原子 (1)由磷原子提供的电子,浓度与磷原子相同 (2)本征半导体中成对产生的电子和空穴。 一般情况下。掺杂浓度远大于本征半导体中流子浓 度,所以,自由电子浓度远大于空穴浓度。在N型半 导体中,自由电子称为多数敢流子(多子),空穴称 为少数敢流子(少子)
+4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 N 型半导体中 的载流子有哪 些呢？ （1）由磷原子提供的电子，浓度与磷原子相同。 （2）本征半导体中成对产生的电子和空穴。 一般情况下，掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓 度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。在N型半 导体中，自由电子称为多数载流子（多子），空穴称 为少数载流子（少子）