此轨迹是旋转90°的一段抛物线.本来,匀强电场似谈不上聚 焦成像作用,但如果电场V”学足够强,或者说d不太大而亡> 1,此场可将轨迹“拉平”,使迅速减小,所有轨迹都被限制在主轨 迹即所设之轴附近(故满足近轴条件).于是,每个物点发出的电子 在阳极平面上形成一个不大的“散射圆”.此称为“投射成像”,是近 贴聚焦的特色.加之,如在阳极之后进一步聚焦成像,可认为所有 轨迹仿佛来自阴极之前某处的一个“虚像点”.此虚像平面到阴极 面的距离比d略小,近似等于d. a
d_ =d (V(e)+e)儿 4头防 :V"=0 -西d-y小,卧 :V(0)=0,r(0)=0→C=Ve@=V@ V-o V(=)+6.)r=V5 v日间- →r=VE +可后- VA VVA 在一d附近.主轨迹有Ve,=0,=0,就是之轴,无须讨论
2 2 1 A r z z r z z A A A A d V r z d V d V V V = + − = + − ( ( ) )( ( ( ) ) ) ( ( ( ) ) ) ( ( ) ) ( ) ( ) ( ( ) ) ( ( ) ) ( ) 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 4 0 0 0 0 0 1 d 1 1 2 2 d d z z z z r r z r z z z r z r z A z z z A A r r r z r z z A A A A z z V z V z r V r V V z r V z r C v v V r C v v V z r r z V z V V z z d d d V V r z z z z V V V d V d z z d d + + + = = + = + = = = + = = + = = = = + = + − + + = , = 2 2 2 2 1 1 1 r A z z A A z A z z r A A z z z z z z A A A A A d V r d V d d d V V r V V d d d V V V V V + − − = − = − + + − + = − + + − = − + −
值得研究的侣* -2发射时与阴极相 切在=0处r回j-辰目 Ve,有限.令k= 侵则是一个小量,极限轨迹一2kV,-及 'd ;在阳极处 有rm=2kd,此即阳极平面的散射圆半径,可能比d小两个量级; 阳极处斜率m'=k,所以k就是束流到阳极后的最大发散角;虚像 点坐标为一d,所有极限轨迹虚像点的集合称为极限虚像面T,正 是阳极关于阴极的对称平面
0 0 , 0 0 0 2 2 2 A z r r z z A A A A d V r z r zd V d V d r zd V V z = = = + − ⎯⎯⎯⎯→ = = =
近贴聚焦过程不改变粒子的横向动量,与一般的成像不同,各 轨迹的虚像点并不重合.其投射成像的单向放大率M,恒为1.也 可如前文一样讨论其像差,即认为散射圆的大小、虚像位置的差 距、虚像平面上“弥散圆”的大小来自像差.如果场是理想均匀场, 每个物点都可看作轴上的点,无所谓“轴外像差”,只有轴上像差, 包括因不同的色差与因初速度角,不同的球差.可以用ε. cos20和e,=osin0代入以上各式,分别讨论这两种像差.也可 合并之,称为色球差,以k的幂次分为一阶、二阶.阳极平面散射圆 的半径是一阶色球差.称虚像点沿轴的散开为纵向色球差,其一阶 项也与kd同量级.称各轨迹反向延长线在虚像平面上构成的弥 散圆半径为横向色球差,它与kd同量级,数值更小.理论上可推 算出(过程略):在极限虚像面上,弥散圆半径来自(=士于的轨 迹,此半径等于kd:在其附近(见图5.2)有弥散圆半径最小的最 佳虚像面M,该处弥散圆半径为0.6kd
在实际的近贴聚焦系统中,场不可能是理想均匀场.使场变形 的因素之一是:如果有后续聚焦系统,阳极面必须开孔,以允许电 子束通过(如用栅网作阳极,网丝的散射会对成像产生不良影响). 如图5.3所示为阳极孔处等位面的形状与中心轴上的V(z)分布. 显然,阳极孔附近的场有发散作用,称为“阳极孔效应”,又称“阳极 孔折射”.用第2章2.3节中膜片透镜的原理分析,可将阳极孔看 作一个V。'>0,V。'=0的发散型膜孔透镜,并按薄透镜近似计算 其焦距等参量,估汁此禾座立小h针n估击流发散角增大、虚像 点移近等效应.这 阳极孔 迹已是较好的近似, 但对离该轴较, 不然.由图中可以看 出,远轴处等付 曾加.使场变形的因 素之二是阴极 不均匀.试想像阴极 是有限大的圆板, 极边缘附近畸变更 甚,产生发散作用 风)
K