611BJT电流源电路 CC 3.高输出阻抗电流源 REF tv "CC“BB3BE2EE REF R ≥1c TI 2 REF A1和4分别是T1和T的相对结面积 动态输出电阻r远比微电流源的动态输出电阻为高 HO配E
A1和A3分别是T1和T3的相对结面积 动态输出电阻ro远比微电流源的动态输出电阻为高 6.1.1 BJT电流源电路 3. 高输出阻抗电流源 R V V V V I CC B E3 BE2 EE REF − − + = REF 1 3 o C2 I A A I I =
611BJT电流源电路 +Vcc 4.组合电流源 T、R1和T支路产生基准电流 T 长K REF T和T2、T和T构成镜像电流源 R T和T3,T和T构成了微电流源 Vcc+VEe BEl EB4 12 T REF R I R EE HO配E
6.1.1 BJT电流源电路 4. 组合电流源 T1、R1 和T4支路产生基准电流 IREF 1 CC EE BE1 EB4 REF R V V V V I + − − = T1和T2、T4和T5构成镜像电流源 T1和T3，T4和T6构成了微电流源
612FET电流源 1 MOSFET镜像电流源 V+V。一V R REF Io =lD=ref S i R DD GS d22=l R NMOS 当器件具有不同的宽长比时 T1 8 T2 VDS2 W2/L2 O W,/LI TREF (=0) ds 2 MOSFET基本镜像电路流 HO配E
6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 当器件具有不同的宽长比时 R V V V I I I DD SS G S O D2 REF + − = = = REF 1 1 2 2 O / / I W L W L I = （=0） ro= rds2 MOSFET基本镜像电路流
612FET电流源 D 1 MOSFET镜像电流源a 用T代替R,TT特性相同 T D2=10 且工作在放大区,当A=0时,输出 电流为 Im2=(W/L)2kn2(s2-V12)2 n2GS2 Vn2)2 常用的镜像电流源 HO配E
6.1.2 FET电流源 1. MOSFET镜像电流源 2 n2 GS2 T2 2 D2 2 n2 GS2 T2 ( ) ( / ) ( ) K V V I W L K V V = − = − 用T3代替R，T1 ~T3特性相同， 且工作在放大区，当=0时，输出 电流为 常用的镜像电流源
612FET电流源 2. MOSFET多路电流源 +VDp REF K n0 gS W/L NMOS To W/L.REF GSO W/L NMOS TL T T T4 REF VGsL VGs GS4 W/L REF HO配E
6.1.2 FET电流源 2. MOSFET多路电流源 REF 1 1 2 2 D2 / / I W L W L I = REF 1 1 3 3 D3 / / I W L W L I = REF 1 1 4 4 D4 / / I W L W L I = 2 n0 GS0 T0 REF D0 K (V V ) I I = − =