TH HD 第2章双极型晶体管及其放大申路 为了反映扩散到集电区的电流N与基区复合电流 BN之间的比例关系,定义共发射极直流电流放大系数 β为 B=IoNc-lo CBO + (2-2) BM B CBO 其含义是:基区每复合一个电子,则有B 个电子扩散到集电区去。B值一般在20~200 之间
第2章 双极型晶体管及其放大电路 为了反映扩散到集电区的电流ICN与基区复合电流 IBN之间的比例关系，定义共发射极直流电流放大系数 为 B CBO C CBO BN CN I I I I I I + − = = (2–2) 其含义是：基区每复合一个电子，则有 个电子扩散到集电区去。 值一般在20~200 之间。
TH HD 2章双极型晶体管及其放大申路 确定了B值之后,由式(2-1)、(2-2)可得 Ic=BlB+(1+B)lcBo=BlB+Iceo (2-3a) (1+B)IB+(1+B)IcBO=(1+B)IB+IcEo (2-3b (2-3c) 式中: cEO=(1 +B)IcBo (2-4) 称为穿透电流。因lcBo很小,在忽略其影响时,则有 B1 (2-5a) g≈(1+B)/B (2-5b) 式(2-5)是今后电路分析中常用的关系式
第2章 双极型晶体管及其放大电路 确定了 值之后，由式(2–1)、(2–2)可得 B E C E B CBO B CEO C B CBO B CEO I I I I I I I I I I I I I = − = + + + = + + = + + = + (1 ) (1 ) (1 ) (1 ) (2–3a) (2–3b) (2–3c) 式中： CEO CBO I = (1+ )I (2–4) 称为穿透电流。因ICBO很小，在忽略其影响时，则有 E B C B I I I I (1 ) + (2–5a) (2–5b) 式(2–5)是今后电路分析中常用的关系式
TH HD 第2章双极型晶体管及其放大申路 为了反映扩散到集电区的电流l与射极注入电流 N的比例关系,定义共基极直流电流放大系数a为 &=CN l CBO (2-6) EN E 显然,a<1,一般约为097~099。 由式(2-6)、(2-1),不难求得 C E + ce B C E (2-7a) (1 O)E CBO ≈(1-a)E(27b) E (2-7c)
第2章 双极型晶体管及其放大电路 为了反映扩散到集电区的电流ICN与射极注入电流 IEN的比例关系，定义共基极直流电流放大系数 为 E C CBO EN CN I I I I I − = = (2–6) 显然， <1，一般约为0.97~0.99。 由式(2–6)、(2–1)，不难求得 E C B B E CBO E C E CBO E I I I I I I I I I I I = + = − − − = + (1 ) (1 ) (2–7a) (2–7c) (2–7b)
TH HD 第章双极型晶体管及其放大申略 由于B,a都是反映晶体管基区扩散与复合的 比例关系,只是选取的参考量不同,所以两者之间必 有内在联系。由B,a的定义可得 CN E C (2-8 EN E E E B/RN C (2-9) EN EN +lcn Bn-B1 BN +B
第2章 双极型晶体管及其放大电路 由于 , 都是反映晶体管基区扩散与复合的 比例关系，只是选取的参考量不同，所以两者之间必 有内在联系。由 , 的定义可得 + = − = + = = − = − = − = = 1 1 B N B N B N E N CN CN E N CN E E E E CN CN E N CN I I I I I I I I I I I I I I I I (2–8) (2–9)
TH HD 第2章双极型晶体管及其放大申路 2-1-3晶体管的放大作用 现在用图2-2来说明晶体管的放大作用。若在图中 UB上叠加一幅度为100mV的正弦电压△,则正向发 射结电压会引起相应的变化。由于e结正向电流与所加 电压呈指数关系,所以发射极会产生一个较大的注入 电流△i,例如为1mA Back
第2章 双极型晶体管及其放大电路 2–1–3 晶体管的放大作用 现在用图2–2来说明晶体管的放大作用。若在图中 UBB上叠加一幅度为100mV的正弦电压Δui，则正向发 射结电压会引起相应的变化。由于e结正向电流与所加 电压呈指数关系，所以发射极会产生一个较大的注入 电流ΔiE，例如为1mA