4.放大作用 i=l+△i ic=aiE=(c+△ic R EB CB △Uo LB LE /B+△ EE 共基极放大电路 若△01=20mV使△i=-1mA,当a=0.98时, 则△ic=a△iE=-0.98mA,△vo=-△RL=0.98V, △U。0.98V 电压放大倍数A △U,20mV
共基极放大电路 4. 放大作用 若 vI = 20mV 电压放大倍数 49 20mV 0.98V I O = = = v v Av 使 iE = -1 mA， 则 iC = iE = -0.98 mA，vO = -iC•RL = 0.98 V， 当 = 0.98 时
512放大状态下BJT的工作原理 综上所述,三极管的放大作用,主要是依靠它的 发射极电流能够通过基区传输,然后到达集电极而实 现的。 实现这一传输过程的两个条件是: (1)内部条件:发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度, 且基区很薄。 (2)外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置
5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的 发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实 现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度， 且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置
513BJT的JV特性曲线 1.输入特性曲线 (以共射极放大电路为例) ∫( BEJI UCEconSt (1)当U=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2)当vce≥1V时,αB=vE-B>0,集电结已进入反偏状态,收集载流 子能力增强,基区复合减少,同样的U下l减小,特性曲线右移。 iB/μA B CE BE e BB 00.20.40.60.8 共射极放大电路
5.1.3 BJT的 I-V 特性曲线 + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE iB= f (vBE)vCE=const (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，收集载流 子能力增强，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例）
513BJT的JV特性曲线 1.输入特性曲线 (3)输入特性曲线的三个部分 ①死区 lB/HA ②非线性区 100 80 近似线性区 60 40 20 ①② 00,2040.60,81.0 BE/V
5.1.3 BJT的 I-V 特性曲线 (3) 输入特性曲线的三个部分 ①死区 ②非线性区 ③近似线性区 iB vBE 1. 输入特性曲线
513BJT的JV特性曲线 2.输出特性曲线 饱和区 ic/mA iB=IO0HA icf(vce 放 80HA ir=const cOLA 输出特性曲线的三个区域: 大 40uA 饱和区:i明显受vc控制的区域,1 20LA 该区域内,一般vE<0.7V(硅 管)。此时,发射正偏集电 12 UCE/V 截止区 结正偏或偏电压很小 放大区:平行于vc轴的区 截止区:i接近零的区域,相 城,曲线基本平行等距。此 当2=0的曲线的下方。此时 时,发射结正偏,集电结反 vBE小死区电压。 偏
5.1.3 BJT的 I-V 特性曲线 饱和区：iC明显受vCE控制的区域， 该区域内，一般vCE＜0.7V (硅 管)。此时，发射结正偏，集电 结正偏或反偏电压很小。 iC= f (vCE)iB=const 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相 当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。 放大区：iC平行于vCE轴的区 域，曲线基本平行等距。此 时，发射结正偏，集电结反 偏。 2. 输出特性曲线