4.1.1N沟道增强型MOSF 2.工作原理 (1)Vcs对沟道的控制作用 N 当s≤0时 耗尽层 无导电沟道，d、s间加 电压时，也无电流产生。 B衬底引线 当0〈s〈N时 产生电场，但未形成导电 沟道（反型层)，d、s间加电 N 压后，没有电流产生。 耗尽层 P B衬底引线
4.1.1 N沟道增强型MOSFET （1）VGS对沟道的控制作用 当VGS≤0时 无导电沟道， d、s间加 电压时，也无电流产生。 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P 当0 <VGS <VTN 时 产生电场，但未形成导电 沟道（反型层），d、s间加电 压后，没有电流产生。 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P 2. 工作原理
4.1.1N沟道增强型MOSF 2.工作原理 VGG (1)Vcs对沟道的控制作用 当s>N时 耗尽层 P 在电场作用下产生导电沟 道，d、s间加电压后，将有 B衬底引线 电流产生。 %s越大，导电沟道越厚 N称为N沟道增强型 N N MOSFET开启电压 N型感生沟道（反型层） 耗尽层 P 必须依靠栅极外加电压才能产生反 B衬底引线 型层的MOSFET称为增强型器件
4.1.1 N沟道增强型MOSFET s g d P B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG N 型感生沟道（反型层） 耗尽层 当VGS >VTN 时 在电场作用下产生导电沟 道，d、s间加电压后，将有 电流产生。 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P VGS越大，导电沟道越厚 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P （1）VGS对沟道的控制作用 2. 工作原理 必须依靠栅极外加电压才能产生反 型层的MOSFET称为增强型器件
VDD 2.工作原理 (2)Vos对沟道的控制作用 d 当s一定（s>w)时， N N s↑→，个→沟道电位梯度个 耗尽层 P →靠近漏极d处的电位升高 B衬底引线 →电场强度减小→沟道变薄 ip g d 王 N N 耗尽层 P B衬底引线 UDS 整个沟道呈楔形分布
2. 工作原理 （2）VDS对沟道的控制作用 靠近漏极d处的电位升高 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P VDD s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P 电场强度减小 沟道变薄 当VGS一定（VGS >VTN ）时， VDS ID 沟道电位梯度 iD O vDS 整个沟道呈楔形分布 VDD
2.工作原理 VDD (2)Vos对沟道的控制作用 d 当%s一定（s>N)时， s↑→，个→沟道电位梯度个 耗尽层 P 当s增加到使=时， B衬底引线 在紧靠漏极处出现预夹断。 ip VGG g d A 预夹断点 N N 耗尽层 P 0B衬底引线 Ups 在预夹断处：W%n=Vshs=VN
s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P VDD s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P VDD 当VDS增加到使VGD=VTN 时， 在紧靠漏极处出现预夹断。 iD O vDS A 预夹断点 在预夹断处：VGD=VGS-VDS =VTN （2）VDS对沟道的控制作用 当VGS一定（VGS >VTN ）时， VDS ID 沟道电位梯度 2. 工作原理
VDD 2.工作原理 VGG (2)Vos对沟道的控制作用 d o 预夹断后，s↑→夹断区延长 N 耗尽层 →沟道电阻个→，基本不变 P 夹断区 B衬底引线 ip 可变 一饱和区一 电阻☒ UDS<VGS-VTI UDS>VGS-VTN VGG B g 预夹断 UGS=VGS>VTN 临界点 N N 耗尽层 P 截止区、Gs<VN B衬底引线 UDS
iD O vDS 截止区 vGS＜VTN 可变 电阻区 vDS < VGS－VT 饱和区 vDS≥VGS－VTN 预夹断 B vGS＝VGS＞VTN A 临界点 预夹断后，VDS 夹断区延长 沟道电阻 ID基本不变 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P VDD 夹断区 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P VDD （2）VDS对沟道的控制作用 2. 工作原理