第十章晶体结构 G⑤ ()）氯化铯(CsC)型结构 目 属于这种结构型的有CsBr、Cs、RbC ThCl、ThTe、TICI、TIBr、NHC NHBr、NH,等。在后三种晶体中，NH4 可看作是一个简单的阳离子。 36 Crystallography 2东理2军 DONG UNIVERSITY OF TECHNOLO
Crystallography 第十章 晶体结构 属于这种结构型的有CsBr、CsI、RbCl、 ThCl、ThTe、TlCl、TlBr、NH4Cl、 NH4Br、NH4 I等。在后三种晶体中，NH4 + 可看作是一个简单的阳离子。 （1）氯化铯（CsCl）型结构 36
第十章晶体结构 (2)氯化钠(NaCl)型 口等轴晶系，结构可以看成是C作立方最紧密 堆积，Na充填所有的八面体空隙。 CI o Na ▣空间群Fm3m ▣a。=0.5628nm。CN=6,Z=4 ▣AX型化合物中，rr=0.414一0.732时多为NaC型结构。 377 Crystallography 东理子火军
Crystallography 第十章 晶体结构 等轴晶系，结构可以看成是Cl-作立方最紧密 堆积，Na+充填所有的八面体空隙。 Cl Na 空间群Fm3m ao =0.5628nm。CN=6，Z=4 AX型化合物中，r + /r-=0.414－0.732时多为NaCl型结构。 （2）氯化钠（NaCl）型 37
第十章晶体结枸 ▣NaCl的立方 面心晶胞 ▣Na-Cls/八面体 38 Crystallography 2东露2名 HANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLO
Crystallography 第十章 晶体结构 NaCl的立方 面心晶胞 Na-CI6八面体 38
第十章晶体结构 G 2）氯化钠 Nac)型 属于NaCl型结构的二元化合物有 ▣卤化物(AX), A=Lit、Na+、Kt、Rut、Ag.;X=F、C、Br 口氢化物(AH),A=Lit、Na±、K、Rut.; ▣氧化物(AO),A=Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Ti2+、S2+; 日 硫化物(AS),A=Pb2±、Ca2+、Mn2+、Ba2+、Mg2+ ▣硒化物(ASe),A=Pb2+、Ca2+,Mn2+、Ba2+、Mg2+; 口碲化物(ATe),A=Ca2±、Sr2±、Ba2+、Ti2. ▣碳化物(AC),A=Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Th.; 口氮化物(AN),A=Sc、Y、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Np、Pu、Th、 0. ▣过渡金属元素的氧化物。 39 Crystallography 东露军
Crystallography 第十章 晶体结构 属于NaCl型结构的二元化合物有 卤化物（AX）， A=Li+ 、Na+ 、K+ 、Ru+ 、Ag+.; X=F-、Cl-、Br-。 氢化物 (AH ), A=Li+ 、Na+ 、K+ 、Ru+.； 氧化物（AO），A=Mg2+ 、Ca2+ 、Sr2+ 、 Ba2+ 、Ti2+ 、Sn2+； 硫化物（AS），A=Pb2+ 、Ca2+ 、Mn2+ 、Ba2+ 、Mg2+.; 硒化物（ASe），A=Pb2+ 、Ca2+ 、Mn2+ 、Ba2+ 、Mg2+.; 碲化物 (ATe ), A= Ca2+ 、Sr2+ 、Ba2+ 、Ti2.; 碳化物（AC）， A=Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Th.； 氮化物(AN), A=Sc、Y、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Np、Pu、Th、 U.； 过渡金属元素的氧化物。 （2）氯化钠（NaCl）型 39
第十章晶体结构 (3)闪锌矿(a-ZnS)型结构 口等轴晶系，结构可以看成是S2作立方最紧密堆积， Zn+充填1/2的四面体空隙。 ▣空间群F43m, Zn ▣a=0.540nm, ▣CN=4 ▣Z=4 ▣结构稳定于r=0.414-0.225。 40 Crystallography 2东理2深
Crystallography 第十章 晶体结构 等轴晶系，结构可以看成是S2-作立方最紧密堆积， Zn+充填1/2的四面体空隙。 Zn S 空间群F43m， a=0.540nm， CN=4 Z=4 结构稳定于r + /r-=0.414-0.225。 （3）闪锌矿（α-ZnS）型结构 40