第3章场效应管 口截止区 MA ID=0以下的工作区域。 DS GS GS(th) 条件:es<escm Vcs=5V 沟道未形成时的工作区 4.5V 特点:I≈0,ID≈0 3.5V 相当于MOs管三个电极断开 Vns/v 口击穿区 Vs增大到一定值时→>漏衬PN结雪崩击穿→L剧增。 V个→沟道Ⅳ→对于l较小的MOS管→穿通击穿。 制作:大连海事大学研究室
❑ 截止区 特点： 相当于 MOS 管三个电极断开。 ID/mA VDS O /V VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V 3.5 V 4 V 沟道未形成时的工作区 4.5 V 条件： VGS < VGS(th) ID = 0 以下的工作区域。 IG 0，ID 0 ❑ 击穿区 • VDS 增大到一定值时→漏衬PN 结雪崩击穿 → ID 剧增。 • VDS→ 沟道 l → 对于 l 较小的 MOS 管 → 穿通击穿。 第 3 章 场效应管
第3章场效应管 由于MOS管Cox很小,因此当带电物体(或人)靠近 金属栅极时,感生电荷在SiO2绝缘层中将产生很大的电 压V∈=QCo,使绝缘层击穿,造成MOS管永久性损 坏 MoS管保护措施: 分立的MoS管:各极引线短接、烙铁外壳接地 MOS集成电路: TD1、D2一方面限制vs间 最大电压,同时对感生电 荷起旁路作用 制作:大连海事大学研究室
由于 MOS 管 COX 很小，因此当带电物体(或人)靠近 金属栅极时，感生电荷在 SiO2 绝缘层中将产生很大的电 压 VGS(= Q /COX)，使绝缘层击穿，造成 MOS 管永久性损 坏。 MOS 管保护措施： 分立的 MOS 管：各极引线短接、烙铁外壳接地。 MOS 集成电路： T D2 D1 D1、D2 一方面限制 VGS 间 最大电压，同时对感 生电 荷起旁路作用。 第 3 章 场效应管